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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税)/库存 | 操作 | |
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状态:
在售
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描述:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
封装:SOT-23-3
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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fet 类型:N 沟道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):-
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 20
电阻 - rds(开):-
功率 - 最大值:350mW
|
类别:
晶体管 - JFET
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
料号:JTG13-55
|
10+:¥0.1200
750+:¥0.1150
1500+:¥0.1070
3000+:¥0.1065
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
¥0.1065
最小起订:
包装:
带卷(TR)
个
总额:
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状态:
在售
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描述:
INTEGRATED CIRCUIT
封装:SOT-23-3
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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fet 类型:N 通道
电压 - 击穿(v(br)gss):40V
漏源极电压(vdss):40V
不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200µA @ 20V
电阻 - rds(开):-
功率 - 最大值:350mW
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类别:
晶体管 - JFET
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_jfet'
料号:JTG13-909
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10+:¥0.1200
750+:¥0.1150
1500+:¥0.1070
3000+:¥0.1065
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
¥0.1065
最小起订:
包装:
个
总额:
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