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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： DTC115EE复制
品牌： CJ（江苏长电/长晶）复制
描述：
封装：
fet 类型：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极(id)：
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-44741
单价:
最小起订:
包装：
个
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状态： 在售
型号： DTC115EET1G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
封装：SC-75，SOT-416 外壳：SC-75，SOT-416
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：250mV @ 300µA，10mA
频率 - 跃迁：500nA
功率 - 最大值：200mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d_ybz'
料号：JTG2-15886
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： DTC115EET1复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
封装：SC-75，SOT-416 外壳：SC-75，SOT-416
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：250mV @ 300µA，10mA
频率 - 跃迁：500nA
功率 - 最大值：200mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d_ybz'
料号：JTG2-16900
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： DTC115EETL复制
品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
封装：EMT3 外壳：SC-75，SOT-416
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：300mV @ 250µA，5mA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：150mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d_ybz'
料号：JTG2-17846
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： DTC115EEBTL复制
品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： NPN, 3-PINNPN DIGITAL TRANSISTOR
封装：EMT3F（SOT-416FL） 外壳：SC-89，SOT-490
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：300mV @ 250µA，5mA
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：150mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d_ybz'
料号：JTG2-18859
单价:
最小起订:
包装：
个
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