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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： DMN1008UFDF-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH30V SC-59
封装：U-DFN2020-6（F 类） 外壳：6-UDFN 裸露焊盘
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极(id)：12.2A（Ta）
Vgs(最大值)：±8V
fet 功能：-
功率 - 最大值：700mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-49446
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1004UFDF-13复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6
封装：U-DFN2020-6 外壳：6-UDFN 裸露焊盘
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极(id)：15A（Ta）
Vgs(最大值)：±8V
fet 功能：-
功率 - 最大值：2.1W（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-49480
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1004UFDF-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6
封装：U-DFN2020-6 外壳：6-UDFN 裸露焊盘
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极(id)：15A（Ta）
Vgs(最大值)：±8V
fet 功能：-
功率 - 最大值：2.1W（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-49519
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1004UFV-13复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
封装：PowerDI3333-8 外壳：8-PowerVDFN
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极(id)：70A（Tc）
Vgs(最大值)：±8V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.9W（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-49529
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN100-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
封装：SC-59-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极(id)：1.1A（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：500mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-26311
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1004UFV-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
封装：PowerDI3333-8 外壳：8-PowerVDFN
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极(id)：70A（Tc）
Vgs(最大值)：±8V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.9W（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-45787
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1008UFDF-13复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH30V SC-59
封装：U-DFN2020-6（F 类） 外壳：6-UDFN 裸露焊盘
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：12V
电流 - 连续漏极(id)：12.2A（Ta）
Vgs(最大值)：±8V
fet 功能：-
功率 - 最大值：700mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-49413
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1006UCA6-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6
封装：X3-DSN2718-6 外壳：6-SMD，无引线
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：-
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：2.4W
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3328
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1003UCA6-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
封装：X3-DSN3518-6 外壳：6-SMD，无引线
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：-
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：2.67W
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3344
单价: ￥1.0437
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： DMN1002UCA6-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
封装：X4-DSN3118-6 外壳：6-SMD，无引线
fet 类型：2 N 沟道（双）共漏
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：-
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：1.1W
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3631
单价: ￥1.0437
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