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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： BSV236SP-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： P沟道,-20V,-4.5A,RDS(ON),38mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；SC70-6
封装：SC70-6
fet 类型：P沟道
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极(id)：5A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56365
单价:
10+:￥1.4160
750+:￥1.3570
1500+:￥1.2626
3000+:￥1.2567
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： BSV236SP L6327复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
封装：PG-SOT363-6 外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta）
Vgs(最大值)：±12V
fet 功能：-
功率 - 最大值：560mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-11467
单价: ￥1.2567
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSV236SPH6327XTSA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
封装：PG-SOT363-6 外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极(id)：1.5A（Ta）
Vgs(最大值)：±12V
fet 功能：-
功率 - 最大值：560mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-24726
单价: ￥1.2567
最小起订:
包装：
个
总额：
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