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SI3932DV-T1-GE3-VB数据手册

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SI3932DV-T1-GE3数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: SI3932DV-T1-GE3-VB复制
品牌: VBsemi(微碧半导体)复制
描述: SOT23-6;2个N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.4~1.5V;
封装:SOT23-6
fet 类型:
fet 功能:
漏源极电压(vdss):
电流 - 连续漏极(id):
功率 - 最大值:
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-5193
单价:
10+:0.7200
750+:0.6900
1500+:0.6420
3000+:0.6390
最小起订:
包装: 3000个/
总额:
状态: 在售
型号: SI3932DV-T1-GE3复制
品牌: Vishay复制 Vishay 威世
描述: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
封装:6-TSOP 外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):3.7A
功率 - 最大值:1.4W
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-84
单价: 0.6390
最小起订:
包装:
总额:
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