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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： ISL9V5036S3ST复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 390V 46A 250W TO263AB
封装：TO-263AB 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：390V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，10A
功率 - 最大值：250W
输入类型：逻辑
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_ugbt_d'
料号：JTG14-382
单价:
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包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： ISL9V5036S3S复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 390V 46A 250W TO263AB
封装：TO-263AB 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：390V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，10A
功率 - 最大值：250W
输入类型：逻辑
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_ugbt_d'
料号：JTG14-2259
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： ISL9V5036S3复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： IGBT 390V 46A 250W TO262AA
封装：TO-262AA 外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：390V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，10A
功率 - 最大值：250W
输入类型：逻辑
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_ugbt_d'
料号：JTG14-2297
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： ISL9V5036S3ST_SB82026C复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： INTEGRATED CIRCUIT
封装：TO-263AB 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：390V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，10A
功率 - 最大值：250W
输入类型：逻辑
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_ugbt_d'
料号：JTG14-2617
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： ISL9V5036S3ST_SB82170复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： INTEGRATED CIRCUIT
封装：TO-263AB 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：390V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，10A
功率 - 最大值：250W
输入类型：逻辑
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_ugbt_d'
料号：JTG14-2618
单价:
最小起订:
包装：
个
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