服务热线
0755-28435922
封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
---|
封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税)/库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|
状态:
在售
|
fet 类型:
漏源极电压(vdss):
电流 - 连续漏极(id):
Vgs(最大值):
fet 功能:
功率 - 最大值:
|
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-44719
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
最小起订:
包装:
个
咨询客服
|
||
状态:
在售
|
晶体管类型:
电流 - 集电极(ic)(最大值):
不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):
功率 - 最大值:
频率 - 跃迁:
|
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d'
料号:JTG1-15502
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
最小起订:
包装:
个
咨询客服
|
||
状态:
在售
|
描述:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3
封装:UMT3
外壳:SC-70,SOT-323
|
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极(ic)(最大值):30mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
|
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d_ybz'
料号:JTG2-15816
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
最小起订:
包装:
个
咨询客服
|
|
状态:
在售
|
描述:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
封装:SOT-323
外壳:SC-70,SOT-323
|
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极(ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):300mV @ 500µA,10mA
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
|
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_sj_bjt_d_ybz'
料号:JTG2-18122
|
|
购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
最小起订:
包装:
个
咨询客服
|