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SI2309DS-T1-GE3-VB数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: SI2309DS-T1-GE3-VB复制
品牌: VBsemi(微碧半导体)复制
描述: SOT23;P—Channel沟道,-60V;-5.2A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2V;
封装:SOT23
fet 类型:P—Channel沟道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):2A
Vgs(最大值):
fet 功能:
功率 - 最大值:
丝印:
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料号:JTG8-56072
单价:
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750+:0.8510
1500+:0.7918
3000+:0.7881
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