缓冲
缓冲

商品类别:
更多
制造商:
更多
外壳尺寸:
更多
自营现货
原装正品 24小时发货 1片起售
★★★★★
◎芯片丝印◎规格书资料 ◎引脚定义图 ◎PCB封装库 ◎元器件替代 ◎样品申请 ◎BOM采购

NP60N04QR数据手册

× 关闭
缓冲

NP60N04数据手册

× 关闭
缓冲

NP60N04VUK-E1-AY数据手册

× 关闭
缓冲

NP60N04MUK-S18-AY数据手册

× 关闭
缓冲

NP60N04NUK-S18-AY数据手册

× 关闭
缓冲

NP60N04KUG-E1-AY数据手册

× 关闭
缓冲

NP60N04MUG-S18-AY数据手册

× 关闭
缓冲
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： NP60N04QR复制
品牌： natlinear(南麟)复制 natlinear 上海南麟电子有限公司
描述：
封装：DFN3*3
二极管类型：
电流 - 平均整流（io）：
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：
速度：
反向恢复时间（trr）：
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-38431
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： NP60N04复制
品牌： natlinear(南麟)复制 natlinear 上海南麟电子有限公司
描述：
封装：DFN3*3
二极管类型：
电流 - 平均整流（io）：
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：
速度：
反向恢复时间（trr）：
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-38472
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： NP60N04VUK-E1-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
封装：TO-252 外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.2W（Ta），105W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-5810
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04MUK-S18-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
封装：TO-220 外壳：TO-220-3 整包
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），105W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-2062
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04NUK-S18-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
封装：TO-262-3 外壳：TO-262-3 整包，I²Pak
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），105W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-5461
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04KUG-E1-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
封装：TO-263 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），88W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15059
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04MUG-S18-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
封装：TO-220 外壳：TO-220-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），88W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15060
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
复制成功
已成功加入询盘！
去购物车结算 继续采购
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922