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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： MMBD6050-E3-18复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-20804
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： MMBD6050-E3-08复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-20806
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： MMBD6050-HE3-18复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-20863
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： MMBD6050-HE3-08复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-20865
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： MMBD6050-G3-18复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-20050
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
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总额：
状态： 在售
型号： MMBD6050-G3-08复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
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select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-20054
单价: ￥0.2130
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状态： 在售
型号： MMBD6050LT1G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
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select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-17634
单价: ￥0.2130
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状态： 在售
型号： MMBD6050复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-19401
单价: ￥0.2130
最小起订:
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状态： 在售
型号： MMBD6050LT3G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：200mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_ejg_zlq_d'
料号：E3-20746
单价: ￥0.2130
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