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HGT1S10N120BNS数据手册

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HGT1S10N120BNST数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: HGT1S10N120BNS复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
封装:TO-263AB 外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
功率 - 最大值:298W
输入类型:标准
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_ugbt_d'
料号:JTG14-1634
单价: 24.6228
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: HGT1S10N120BNST复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
封装:TO-263AB 外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
功率 - 最大值:298W
输入类型:标准
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_ugbt_d'
料号:JTG14-675
单价: 24.6228
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