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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： BSS123LT7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 100V 170MA 6.0
封装：- 外壳：-
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：15µA
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：标准
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50142
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT1G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-9848
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT1复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：2.8V @ 1mA
fet 功能：-
功率 - 最大值：-
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10339
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT3复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-16447
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT3G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-16448
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
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