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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格 | 购买数量/库存 | 操作 |
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封装图 | 商品描述 | 综合参数 | 封装规格/资料 | 价格(含税)/库存 | 操作 | |
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状态:
在售
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描述:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
封装:8-SOIC
外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)
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fet 类型:N 和 P 沟道
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):4.5A,3.2A
功率 - 最大值:2W
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丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-97
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
最小起订:
包装:
个
咨询客服
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状态:
在售
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描述:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
封装:8-SOIC
外壳:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)
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fet 类型:N 和 P 沟道
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):4.5A (Ta),3.2A (Ta)
功率 - 最大值:2W
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丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4004
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购买数量不能超过商品库存,已为您修正!
单价:
最小起订:
包装:
个
咨询客服
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