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AO4612-VB数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： AO4612-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3；
封装：SOP8
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-6257
单价:
10+:￥2.1240
1000+:￥2.0355
2000+:￥1.8939
4000+:￥1.8851
最小起订:
包装： 4000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： AO4612复制
品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
封装：8-SOIC 外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A，3.2A
功率 - 最大值：2W
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-97
单价: ￥1.8851
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： AO4612L复制
品牌： Alpha Omega Semi复制 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
封装：8-SOIC 外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：4.5A (Ta)，3.2A (Ta)
功率 - 最大值：2W
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4004
单价: ￥1.8851
最小起订:
包装：
个
总额：
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