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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N7002,235复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50929
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002CKVL复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50934
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002P,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：360mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-130
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-145
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BK,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：350mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-169
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：385mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4308
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKT,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416
封装：SC-75 外壳：SC-75，SOT-416
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：290mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：260mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4330
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PT,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416
封装：SC-75 外壳：SC-75，SOT-416
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：310mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：250mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4383
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002F,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：475mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4386
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
封装：TO-236AB（SOT23） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：340mA（Ta）
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15639
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PM,315复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
封装：DFN1006-3 外壳：SC-101，SOT-883
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：250mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15722
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002T,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：TO-236AB（SOT23） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-18430
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002P,235复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：360mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28717
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PW,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
封装：SOT-323 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：310mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：260mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28789
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002CK,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28873
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
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状态： 在售
型号： 2N7002BKW,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
封装：SOT-323 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：310mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：275mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28924
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
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状态： 在售
型号： 2N7002BKMB,315复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN
封装：DFN1006B-3 外壳：3-XFDFN
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：450mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-31362
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKM,315复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
封装：DFN1006-3 外壳：SC-101，SOT-883
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：450mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-33990
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002NXAKR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta），300mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：265mW（Ta），1.33W（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-46438
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKVL复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：350mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-46439
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002/HAMR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： 2N7002/SOT23/TO-236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-46440
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002NXBKR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： 2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：270mA（Ta），330mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：310mW（Ta），1.67W（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-46465
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PSZ复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
封装：6-TSSOP 外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：320mA（Ta）
功率 - 最大值：280mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3981
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PS,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
封装：6-TSSOP 外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：320mA
功率 - 最大值：420mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-214
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKS,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
封装：6-TSSOP 外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：300mA
功率 - 最大值：295mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-219
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKV,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
封装：SOT-666 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：340mA
功率 - 最大值：350mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-231
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PS,125复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
封装：6-TSSOP 外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：320mA
功率 - 最大值：420mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-424
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PV,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
封装：SOT-666 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：350mA
功率 - 最大值：330mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-680
单价: ￥0.1811
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKS/ZLX复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 300MA SOT363
封装：SOT-363 外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：300mA（Ta）
功率 - 最大值：1.04W
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3461
单价: ￥0.1811
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状态： 在售
型号： 2N7002PS/ZLH复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363
封装：SOT-363 外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：320mA（Ta）
功率 - 最大值：990mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3462
单价: ￥0.1811
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状态： 在售
型号： 2N7002PS/ZLX复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 320MA SOT363
封装：SOT-363 外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：320mA（Ta）
功率 - 最大值：990mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3463
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状态： 在售
型号： 2N7002,235复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述：
封装：SOT23
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4165
单价: ￥0.1811
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状态： 在售
型号： 2N7002/HAMR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述：
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4166
单价: ￥0.1811
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状态： 在售
型号： 2N7002NXAKR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述：
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4167
单价: ￥0.1811
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状态： 在售
型号： 2N7002NXBKR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述：
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4168
单价: ￥0.1811
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