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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N7002 L6327复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：PG-SOT23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：
fet 功能：逻辑电平门
功率 - 最大值：500mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-14340
单价:
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包装： 带卷（TR）
个
咨询客服
状态： 在售
型号： 2N7002H6327XTSA2复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：500mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-32006
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： 2N7002L6327HTSA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：PG-SOT23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：500mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-52676
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： 2N7002DWH6327XTSA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
封装：PG-SOT363-6 外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：300mA
功率 - 最大值：500mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-414
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： 2N7002DW L6327复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
封装：PG-SOT363-6 外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：300mA
功率 - 最大值：500mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3019
单价:
最小起订:
包装：
个
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