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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: 2N7002H-13复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-6330
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002AQ-13复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):180mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-6337
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-133
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002K-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):380mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-142
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002W-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
封装:SOT-323 外壳:SC-70,SOT-323
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:200mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-211
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002T-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
封装:SOT-523 外壳:SOT-523
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:150mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-235
单价: 0.2663
最小起订:
包装: 3000个/
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002TA复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:330mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-4517
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-4568
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002W-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
封装:SOT-323 外壳:SC-70,SOT-323
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:200mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-4640
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002AQ-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):180mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-6361
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002TQ-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET NCH 60V 115MA SOT523
封装:SOT-523 外壳:SOT-523
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:150mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-6412
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002T-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
封装:SOT-523 外壳:SOT-523
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:150mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10280
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002TC复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:330mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10534
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002H-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-21836
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002E-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):250mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-28801
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002A-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):180mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-31458
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002Q-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: 2N7002 FAMILY SOT23
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:370mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-45697
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002WKX-13复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT323
封装:SOT-323 外壳:SC-70,SOT-323
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:200mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-51975
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002-7-F-79复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
Vgs(最大值):-
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52050
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002-7-G复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
Vgs(最大值):-
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52051
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002E-7-G复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT23
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
Vgs(最大值):-
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52052
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002KX-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
Vgs(最大值):-
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52053
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002T-13-G复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT523
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
Vgs(最大值):-
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52054
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002T-7-G复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT523
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
Vgs(最大值):-
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52055
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002WKX-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V SOT323
封装:SC-70,SOT-323 外壳:SOT-323
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:200mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52309
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DWS-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363
封装:SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):247mA(Ta)
功率 - 最大值:290mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-3794
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002VAC-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装:SOT-563 外壳:SOT-563,SOT-666
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):280mA
功率 - 最大值:150mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-1272
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002VA-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装:SOT-563 外壳:SOT-563,SOT-666
fet 类型:-
fet 功能:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-634
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DW-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
封装:SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):230mA
功率 - 最大值:310mW
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-6
单价: 0.2663
最小起订:
包装: 3000个/
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DWQ-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
封装:SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):230mA
功率 - 最大值:310mW
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-419
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002VA-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装:SOT-563 外壳:SOT-563,SOT-666
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):280mA
功率 - 最大值:150mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-635
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002VC-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装:SOT-563 外壳:SOT-563,SOT-666
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):280mA
功率 - 最大值:150mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-644
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DW-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
封装:SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):230mA
功率 - 最大值:310mW
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-2088
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002V-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装:SOT-563 外壳:SOT-563,SOT-666
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):280mA
功率 - 最大值:150mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-2124
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DWA-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
封装:SOT-363 外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:逻辑电平门
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):180mA
功率 - 最大值:300mW
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-2801
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DW-13-G复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
fet 功能:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4058
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DW-7-F-79复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
fet 功能:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4059
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DW-7-G复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
fet 功能:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4060
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DWKX-13复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
fet 功能:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4061
单价: 0.2663
最小起订:
包装:
总额:
状态: 在售
型号: 2N7002DWKX-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
封装:- 外壳:-
fet 类型:-
fet 功能:-
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-4062
单价: 0.2663
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