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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: MGSF1N03LT1复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):1.6A(Ta)
Vgs(最大值):2.4V @ 250µA
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10345
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: MGSF1N03LT3复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):1.6A(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:420mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-16450
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: MGSF1N03LT3G复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):1.6A(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:420mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-16451
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: MGSF1N03LT1G复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):30V
电流 - 连续漏极(id):1.6A(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:420mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-27017
单价:
最小起订:
包装:
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