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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: BSS123复制
品牌: Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-154
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123LT1G复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:225mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-9848
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:300mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10267
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123LT1复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):2.8V @ 1mA
fet 功能:-
功率 - 最大值:-
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10339
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123ATC复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10544
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123TC复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10545
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123E6327复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-11344
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123L6327HTSA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-13284
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123 E6433复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-13878
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123L7874XT复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-13879
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123ATA复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-14502
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123_D87Z复制
品牌: Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-14989
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123LT3复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:225mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-16447
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123LT3G复制
品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3(TO-236) 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:225mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-16448
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123NH6433XTMA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):190mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:500mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-21806
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123NH6327XTSA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):190mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:500mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-21839
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:300mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-28861
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123,215复制
品牌: Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23
封装:TO-236AB 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):150mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:250mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-28897
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123TA复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-29691
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123L复制
品牌: Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-31145
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123L6433HTMA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装:SOT-23-3 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:360mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-40137
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123K-TP复制
品牌: Micro Commercial Co复制 Micro Commercial 美微科
描述: N-CHANNEL MOSFETSOT-23
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:350mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-45305
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123-TP复制
品牌: Micro Commercial Co复制 Micro Commercial 美微科
描述: N-CHANNELMOSFETSOT-23
封装:SOT-23 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):170mA
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:350mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-45308
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123/LF1R复制
品牌: Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
封装:TO-236AB 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):150mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:250mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-52881
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSS123复制
品牌: CJ复制
描述:
封装: 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
类别: 未分类
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_wfl'
料号:-710
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包装: 3000个/ 圆盘
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