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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N7002 TR13复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：350mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-32027
单价: ￥0.0959
最小起订:
包装： 带卷（TR）
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002 BK复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：350mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6480
单价: ￥0.0959
最小起订:
包装： 散装
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002 TR复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：350mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-29761
单价: ￥0.0959
最小起订:
包装： 带卷（TR）
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002T-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54599
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KB-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54600
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54601
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BK-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54602
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002,235复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50929
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002ET7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 60V 115MA 7MO
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：260mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：300mW（Tj）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50139
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KT7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 60V 115MA 7MO
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：380mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：300mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50140
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002CKVL复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50934
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002LT7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 60V 115MA 7.5O
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50141
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002H-13复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6330
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002AQ-13复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：180mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6337
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002 BK PBFREE复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：40V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50945
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002LT1G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-127
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/ 盘
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002P,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：360mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-130
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-133
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K-T1-E3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-136
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：380mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-142
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-145
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：200mA（Tc）
Vgs(最大值)：±18V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-157
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
封装：SOT-23（TO-236AB） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-160
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BK,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：350mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-169
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：385mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4308
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002F,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：475mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4386
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002TA复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：330mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4517
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4568
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002AQ-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：180mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6361
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-G复制
品牌： Comchip Technology复制 Comchip 典琦科技
描述： MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：250mA（Ta）
Vgs(最大值)：-
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6376
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E-T1-GE3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
封装：TO-236 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：240mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-7649
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002LT1复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：2.5V @ 250µA
fet 功能：-
功率 - 最大值：-
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10299
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002TC复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：330mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10534
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002_D87Z复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
封装：SOT-23（TO-236AB） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：200mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-12130
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装： 剪切带（CT）
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-E3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
封装：TO-236 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-12139
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002 L6327复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：PG-SOT23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：
fet 功能：逻辑电平门
功率 - 最大值：500mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-14340
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装： 带卷（TR）
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002_L99Z复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
封装：SOT-23（TO-236AB） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-14969
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002_S00Z复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
封装：SOT-23（TO-236AB） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-14978
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002MTF复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15218
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
封装：TO-236AB（SOT23） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：340mA（Ta）
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15639
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002LT3复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-16438
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002_NB9G002复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
封装：SOT-23（TO-236AB） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-18289
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002T,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：TO-236AB（SOT23） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-18430
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002ET3G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：260mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：300mW（Tj）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-18964
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KT3G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：320mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-18965
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002H-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-21836
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：240mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-24236
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E-T1-E3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：240mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-26335
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-T1-E3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
封装：TO-236 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-26338
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002P,235复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：360mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28717
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002/HAMR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述：
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4166
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002NXAKR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述：
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4167
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002NXBKR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述：
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：
fet 功能：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极（id）：
功率 - 最大值：
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-4168
单价: ￥0.1598
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