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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N7002VAC-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装：SOT-563 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：150mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-1272
单价: ￥0.8627
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002VA-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装：SOT-563 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：-
fet 功能：-
漏源极电压（vdss）：-
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-634
单价: ￥0.8627
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002V复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
封装：SOT-563F 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：250mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-25
单价: ￥0.8627
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKV,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
封装：SOT-666 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：340mA
功率 - 最大值：350mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-231
单价: ￥0.8627
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002VA-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装：SOT-563 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：150mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-635
单价: ￥0.8627
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002VC-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装：SOT-563 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：150mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-644
单价: ￥0.8627
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包装：
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状态： 在售
型号： 2N7002VA复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
封装：SOT-563F 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：250mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-648
单价: ￥0.8627
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PV,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
封装：SOT-666 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：350mA
功率 - 最大值：330mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-680
单价: ￥0.8627
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002V-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装：SOT-563 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：150mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-2124
单价: ￥0.8627
最小起订:
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总额：
状态： 在售
型号： 2N7002V-TP复制
品牌： Micro Commercial Co复制 Micro Commercial 美微科
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
封装：SOT-563 外壳：SOT-563，SOT-666
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极（id）：280mA
功率 - 最大值：150mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-2130
单价: ￥0.8627
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