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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: 2N7002T-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
封装:SOT-523 外壳:SOT-523
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:150mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-235
单价:
最小起订:
包装: 3000个/
咨询客服
状态: 在售
型号: 2N7002TQ-7-F复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET NCH 60V 115MA SOT523
封装:SOT-523 外壳:SOT-523
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:150mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-6412
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: 2N7002T-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
封装:SOT-523 外壳:SOT-523
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:150mW(Ta)
丝印:(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-10280
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: 2N7002T-TP复制
品牌: Micro Commercial Co复制 Micro Commercial 美微科
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
封装:SOT-523 外壳:SOT-523
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):115mA
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:150mW
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-45316
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