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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： BSD223PH6327XTSA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
封装：PG-SOT363-6 外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：390mA
功率 - 最大值：250mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-623
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： BSD223P复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
封装：PG-SOT363-6 外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：390mA
功率 - 最大值：250mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-2956
单价:
最小起订:
包装：
个
咨询客服
状态： 在售
型号： BSD223P L6327复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
封装：PG-SOT363-6 外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极（id）：390mA
功率 - 最大值：250mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号：JTG10-3020
单价:
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包装：
个
咨询客服
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