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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: DMN1006UCA6-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6
封装:X3-DSN2718-6 外壳:6-SMD,无引线
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:2.4W
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-3328
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: DMN1003UCA6-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
封装:X3-DSN3518-6 外壳:6-SMD,无引线
fet 类型:2 N-通道(双)
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:2.67W
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-3344
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: DMN1002UCA6-7复制
品牌: Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
封装:X4-DSN3118-6 外壳:6-SMD,无引线
fet 类型:2 N 沟道(双)共漏
fet 功能:标准
漏源极电压(vdss):-
电流 - 连续漏极(id):-
功率 - 最大值:1.1W
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_zl'
料号:JTG10-3631
单价:
最小起订:
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