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Si2399DS-T1-GE3-VB数据手册

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SI2399DS-T1-GE3数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： Si2399DS-T1-GE3-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
封装：SOT23
fet 类型：P—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极(id)：4A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56223
单价:
10+:￥0.2652
750+:￥0.2542
1500+:￥0.2365
3000+:￥0.2354
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： SI2399DS-T1-GE3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：P 通道
漏源极电压（vdss）：20V
电流 - 连续漏极(id)：6A（Tc）
Vgs(最大值)：±12V
fet 功能：-
功率 - 最大值：2.5W（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-7786
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
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