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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： NP60N04VUK-E1-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
封装：TO-252 外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.2W（Ta），105W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-5810
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04MUK-S18-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
封装：TO-220 外壳：TO-220-3 整包
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），105W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-2062
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04NUK-S18-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
封装：TO-262-3 外壳：TO-262-3 整包，I²Pak
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），105W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-5461
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04KUG-E1-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-263
封装：TO-263 外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），88W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15059
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： NP60N04MUG-S18-AY复制
品牌： Renesas Electronics America复制 Renesas 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
封装：TO-220 外壳：TO-220-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：40V
电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.8W（Ta），88W（Tc）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-15060
单价: ￥7.2420
最小起订:
包装：
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