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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： BSS123-7-F-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23-3；N沟道,100V,0.26A ,2.8Ω@10V，VGS=20V
封装：SOT23-3
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：26A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-55004
单价:
10+:￥0.2652
750+:￥0.2542
1500+:￥0.2365
3000+:￥0.2354
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 100V 170MA 6.0
封装：- 外壳：-
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：15µA
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：标准
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50142
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-154
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123W-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
封装：SOT-323 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-274
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT1G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-9848
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：300mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10267
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123W-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
封装：SOT-323 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10269
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT1复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：2.8V @ 1mA
fet 功能：-
功率 - 最大值：-
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10339
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123ATC复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10544
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123TC复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-10545
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123E6327复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-11344
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123L6327HTSA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-13284
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123 E6433复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-13878
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123L7874XT复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-13879
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123ATA复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-14502
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123_D87Z复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-14989
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT3复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-16447
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123LT3G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-16448
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123NH6433XTMA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：500mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-21806
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123NH6327XTSA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：190mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：500mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-21839
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：300mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28861
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：150mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：250mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28897
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123TA复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-29691
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123L复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-31145
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123WQ-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
封装：SOT-323 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-31291
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123W复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
封装：SC-70（SOT323） 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-37367
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123L6433HTMA1复制
品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：360mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-40137
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123K-TP复制
品牌： Micro Commercial Co复制 Micro Commercial 美微科
描述： N-CHANNEL MOSFETSOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-45305
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123-TP复制
品牌： Micro Commercial Co复制 Micro Commercial 美微科
描述： N-CHANNELMOSFETSOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：170mA
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-45308
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSS123/LF1R复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：100V
电流 - 连续漏极(id)：150mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：250mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-52881
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
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