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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态: 在售
型号: BSR316PH6327XTSA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
封装:PG-SC-59 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:P 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):360mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:500mW(Tc)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-738
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSR315PH6327XTSA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
封装:PG-SC-59 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:P 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):620mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:500mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-740
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSR315PL6327HTSA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
封装:PG-SC-59 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:P 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):620mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:500mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-14345
单价:
最小起订:
包装:
咨询客服
状态: 在售
型号: BSR316PL6327HTSA1复制
品牌: Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述: MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
封装:PG-SC-59 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:P 通道
漏源极电压(vdss):100V
电流 - 连续漏极(id):360mA(Ta)
Vgs(最大值):±20V
fet 功能:-
功率 - 最大值:500mW(Ta)
丝印:
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号:JTG8-14346
单价:
最小起订:
包装:
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