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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： BSN20-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54853
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： BSN20-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极(id)：500mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：600mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-196
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSN20,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极(id)：173mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4376
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSN20,235复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极(id)：173mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4377
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSN20Q-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：50V
电流 - 连续漏极(id)：500mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：600mW（Ta），920mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6406
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： BSN20BKR复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：265mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：310mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-28980
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
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