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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税)/库存 操作
状态： 在售
型号： 2N7002 TR13复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：350mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-32027
单价: ￥0.0959
最小起订:
包装： 带卷（TR）
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002 BK复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：350mW
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6480
单价: ￥0.0959
最小起订:
包装： 散装
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002 TR复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：
fet 功能：标准
功率 - 最大值：350mW
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-29761
单价: ￥0.0959
最小起订:
包装： 带卷（TR）
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002T-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54599
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KB-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54600
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54601
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BK-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-54602
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002P-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.3A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.6V；
封装：SOT23
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：3A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56649
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K-13-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.3A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.6V；
封装：SOT23
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：3A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56656
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56970
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-57070
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KA-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极(id)：
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-58975
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KA-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极(id)：
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-58976
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002MTF-NL-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极(id)：
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-59659
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002MTF-NL-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极(id)：
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-59660
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002ET1G-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极(id)：
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-59859
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002ET1G-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SOT23
fet 类型：
漏源极电压（vdss）：
电流 - 连续漏极(id)：
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-59860
单价:
10+:￥0.1800
750+:￥0.1725
1500+:￥0.1605
3000+:￥0.1598
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002,235复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Tc）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50929
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002ET7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 60V 115MA 7MO
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：260mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：300mW（Tj）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50139
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KT7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 60V 115MA 7MO
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：380mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：300mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50140
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002CKVL复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50934
单价: ￥0.1598
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKT-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： N沟道,60V,0.25A,RDS(ON),1100mΩ@10V,1320mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.3Vth(V)；SC75-3
封装：SC75-3
fet 类型：N沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：25A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-55485
单价:
10+:￥0.2652
750+:￥0.2542
1500+:￥0.2365
3000+:￥0.2354
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002T.-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SC75-3；N—Channel沟道,60V；0.33A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
封装：SC75-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：33A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56753
单价:
10+:￥0.2652
750+:￥0.2542
1500+:￥0.2365
3000+:￥0.2354
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002LT7G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： NFET SOT23 60V 115MA 7.5O
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50141
单价: ￥0.2354
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002W-7-F-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)
封装：SC70-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：3A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56495
单价:
10+:￥0.2880
750+:￥0.2760
1500+:￥0.2568
3000+:￥0.2556
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002WT1G-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)
封装：SC70-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：3A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56497
单价:
10+:￥0.2880
750+:￥0.2760
1500+:￥0.2568
3000+:￥0.2556
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KW-VB复制
品牌： VBsemi(微碧半导体)复制
描述： SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)
封装：SC70-3
fet 类型：N—Channel沟道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：3A
Vgs(最大值)：
fet 功能：
功率 - 最大值：
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-56503
单价:
10+:￥0.2880
750+:￥0.2760
1500+:￥0.2568
3000+:￥0.2556
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002H-13复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：170mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6330
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002AQ-13复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：180mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-6337
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002 BK PBFREE复制
品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
封装：SOT-23 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：40V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-50945
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002LT1G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：225mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-127
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装： 3000个/ 盘
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002P,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：360mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-130
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-133
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K-T1-E3复制
品牌： Vishay复制 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：SOT-23-3（TO-236） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-136
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002WT1G复制
品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
封装：SC-70-3（SOT323） 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：310mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：280mW（Tj）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-139
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：380mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-142
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-145
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：200mA（Tc）
Vgs(最大值)：±18V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Tc）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-157
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002K复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
封装：SOT-23（TO-236AB） 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-160
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BK,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：350mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-169
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002W-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
封装：SOT-323 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-211
单价: ￥0.2556
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002KW复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
封装：SC-70（SOT323） 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：310mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：350mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-220
单价: SELECT `sprice_1`,`sprice_2`,`sprice_3`,`sprice_4`,`sprice_5`,`sprice_6`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002KW' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( (`price` > 0) OR (`sprice_1` > 0) ) LIMIT 1 ￥0.14
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002T-7-F复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
封装：SOT-523 外壳：SOT-523
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：150mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-235
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装： 3000个/
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002W复制
品牌： Fairchild Semiconductor复制 ON(Fairchild) (仙童)安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
封装：SC-70（SOT323） 外壳：SC-70，SOT-323
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：200mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-256
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002E,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：385mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4308
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002BKT,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416
封装：SC-75 外壳：SC-75，SOT-416
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：290mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：260mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4330
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002PT,115复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416
封装：SC-75 外壳：SC-75，SOT-416
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：310mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：250mW（Ta）
丝印：
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4383
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002F,215复制
品牌： Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23
封装：TO-236AB 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：475mA（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：830mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4386
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002TA复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：330mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4517
单价: ￥0.2130
最小起订:
包装：
个
总额：
状态： 在售
型号： 2N7002-7复制
品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
封装：SOT-23-3 外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：115mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：370mW（Ta）
丝印：(请登录)
select action_name from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
料号：JTG8-4568
单价: ￥0.2130
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