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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 存储器类型 存储器格式 技术 存储容量 存储器接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 安装类型 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
S25FL127SABBHIC03
标准卷带
10+: 16.7819 100+: 16.4822 1000+: 16.3323 3000+: 15.8828
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL127SABBHID03
标准卷带
2500
10+: 0.5062 100+: 0.4972 1000+: 0.4927 3000+: 0.4791
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(6x8) 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064S70BHI040
托盘
1690
10+: 0.8986 100+: 0.8825 1000+: 0.8745 3000+: 0.8504
我要买
Cypress Semiconductor Corp 48-VFBGA 48-FBGA(8.15x6.15) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8,4M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-FBGA(8.15x6.15) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(4m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL064S70FHI020
托盘
180
10+: 15.9972 100+: 15.7115 1000+: 15.5687 3000+: 15.1402
我要买
Cypress Semiconductor Corp 64-LBGA 64-FBGA(13x11) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (4M x 16) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64-FBGA(13x11) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(4m x 16) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29GL640ETXEI-70G
托盘
10+: 16.9211 100+: 16.6189 1000+: 16.4678 3000+: 16.0146
我要买
Macronix 48-LFBGA,CSPBGA 48-LFBGA,CSP(6x8) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:48-LFBGA,CSP(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29GL640EBXEI-70Q
托盘
10+: 16.9211 100+: 16.6189 1000+: 16.4678 3000+: 16.0146
我要买
Macronix 48-LFBGA,CSPBGA 48-LFBGA,CSP(6x8) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:70ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:70ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:48-LFBGA,CSP(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29GL640EBXEI-90G
托盘
10+: 16.9211 100+: 16.6189 1000+: 16.4678 3000+: 16.0146
我要买
Macronix 48-LFBGA,CSPBGA 48-LFBGA,CSP(6x8) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:48-LFBGA,CSP(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
MX29GL640ETXEI-90G
托盘
10+: 16.9211 100+: 16.6189 1000+: 16.4678 3000+: 16.0146
我要买
Macronix 48-LFBGA,CSPBGA 48-LFBGA,CSP(6x8) 描述:IC FLASH 64M PARALLEL 48LFBGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:64Mb (8M x 8) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:90ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:48-LFBGA,CSPBGA 供应商器件封装:48-LFBGA,CSP(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:64m(8m x 8) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
CY62256VNLL-70ZRXI
托盘
234
10+: 0.7720 100+: 0.7582 1000+: 0.7513 3000+: 0.7307
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Cypress Semiconductor Corp 28-TSOP I 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns *电压 - 电源:-40°C ~ 85°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:28-TSOP I 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:70ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71V124SA15YGI
管件
10+: 17.0350 100+: 16.7308 1000+: 16.5787 3000+: 16.1224
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:15ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:15ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:15ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S25FL127SABMFI003
标准卷带
1450
10+: 0.5062 100+: 0.4972 1000+: 0.4927 3000+: 0.4791
我要买
Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC(7.50MM 宽) 16-SOIC 描述:IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOIC *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:128Mb (16M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:108MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:16-SOIC(7.50MM 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:128m(16m x 8) 速度:108mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71V124SA10PHGI
管件
23
10+: 10.7829 100+: 10.5904 1000+: 10.4941 3000+: 10.2053
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 32-TSOP II 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:10ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:10ns *电压 - 电源:3.15V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:32-TSOP II 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:3.15 v ~ 3.6 v
71V124SA12TYGI
管件
23
10+: 10.7829 100+: 10.5904 1000+: 10.4941 3000+: 10.2053
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 32-SOJ 描述:IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:1Mb (128K x 8) 存储器接口:12ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:12ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:32-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:1m(128k x 8) 速度:12ns 接口:并联 电压 - 电源:3 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGBHVC03
标准卷带
2500
10+: 3.0374 100+: 2.9832 1000+: 2.9561 3000+: 2.8747
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SAGNFV003
标准卷带
2500
10+: 1.1137 100+: 1.0938 1000+: 1.0839 3000+: 1.0541
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:133MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:133mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPBHVC03
标准卷带
2500
10+: 3.0374 100+: 2.9832 1000+: 2.9561 3000+: 2.8747
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDPNFV003
标准卷带
2500
10+: 2.7210 100+: 2.6725 1000+: 2.6482 3000+: 2.5753
我要买
Cypress Semiconductor Corp 8-WDFN 裸露焊盘 8-WSON(6x8) 描述:IC FLASH 256M SPI 66MHZ 8WSON *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:66MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-WSON(6x8) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:66mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S25FL256SDSBHV213
标准卷带
2500
10+: 1.1137 100+: 1.0938 1000+: 1.0839 3000+: 1.0541
我要买
Cypress Semiconductor Corp 24-TBGA 24-BGA(8x6) 描述:IC FLASH 256M SPI 80MHZ 24BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (32M x 8) 存储器接口:- 时钟频率:SPI - 四 I/O 写周期时间 - 字,页:80MHz 访问时间:- *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:24-TBGA 供应商器件封装:24-BGA(8x6) 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(32m x 8) 速度:80mhz 接口:spi 串行 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S34ML02G100BHV003
标准卷带
10+: 31.0199 100+: 30.4659 1000+: 30.1890 3000+: 29.3581
我要买
Cypress Semiconductor Corp 63-BGA(11x9) 描述:IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:闪存 - NAND *存储容量:2Gb (256M x 8) 存储器接口:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25ns *电压 - 电源:-40°C ~ 105°C(TA) 工作温度:表面贴装型 安装类型:63-VFBGA 封装/外壳:63-BGA(11x9) 供应商器件封装: 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - nand 存储容量:2g(256m x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
71256L25YG8
标准卷带
1000
10+: 22.1733 100+: 21.7774 1000+: 21.5794 3000+: 20.9855
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:25ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:25ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:25ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71256L20YG8
标准卷带
1000
10+: 22.1733 100+: 21.7774 1000+: 21.5794 3000+: 20.9855
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:20ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:20ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
71256L35YG8
标准卷带
1000
10+: 22.1733 100+: 21.7774 1000+: 21.5794 3000+: 20.9855
我要买
IDT, Integrated Device Technology Inc 28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 28-SOJ 描述:IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ *存储器类型:易失 *存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 *存储容量:256Kb (32K x 8) 存储器接口:35ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:35ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:28-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 供应商器件封装:28-SOJ 标签: 格式 - 存储器:ram 存储器类型:sram - 异步 存储容量:256k(32k x 8) 速度:35ns 接口:并联 电压 - 电源:4.5 v ~ 5.5 v
S29GL256S90TFI023
标准卷带
1000
10+: 28.9190 100+: 28.4026 1000+: 28.1443 3000+: 27.3697
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:90ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:2.7 v ~ 3.6 v
S29GL256S10TFIV13
标准卷带
1000
10+: 1.5693 100+: 1.5413 1000+: 1.5273 3000+: 1.4853
我要买
Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
S29GL256S10TFIV23
标准卷带
1000
10+: 28.9190 100+: 28.4026 1000+: 28.1443 3000+: 27.3697
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Cypress Semiconductor Corp 56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 56-TSOP 描述:IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP *存储器类型:非易失 *存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR *存储容量:256Mb (16M x 16) 存储器接口:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字,页:并联 访问时间:60ns *电压 - 电源:1.65V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:56-TSOP 标签: 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:flash - nor 存储容量:256m(16m x 16) 速度:100ns 接口:并联 电压 - 电源:1.65 v ~ 3.6 v
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