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Infineon Technologies 英飞凌

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    PMIC- 栅极驱动器 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VDSON
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 8V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：PG-VDSON-8
料号：P4-26
包装： 4000个/ 卷带
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-28
包装： 95个/ 管件
参考价格:￥3.367400
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状态： 不适用于新设计
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 13.2V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-29
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥3.367400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 15.6V
输入类型：RC 输入电路
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-30
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥3.367400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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替代：
驱动配置：高端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-31
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.367400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
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驱动器数：2
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-32
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥3.367400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 40V 逻辑电压 :0.8V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，400mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:380ns，380ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 40V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：PG-SSOP-14
料号：P4-33
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.367400
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丝印：
外壳：
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料号：P4-34
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 40V 逻辑电压 :0.8V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，400mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:380ns，380ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:700 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-36
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.367400
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 40V 逻辑电压 :0.8V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，400mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:380ns，380ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:700 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：6V ~ 20V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-38
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥3.367400
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可供数量:咨询
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 20V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：P4-40
包装： 2500个/ 卷带
参考价格:￥3.367400
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可供数量:咨询
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描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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封装：8-SOIC
料号：P4-41
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参考价格:￥3.367400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 40V 逻辑电压 :0.8V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，400mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:380ns，380ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:700 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
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输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：PG-DSO-8-903
料号：P4-42
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.367400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 40V 逻辑电压 :0.8V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，400mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:380ns，380ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:700 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA，240mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA，240mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：高端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：PG-SOT23-6
料号：P4-61
包装： 3000个/ 卷带
参考价格:￥3.367400
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个
总额：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRDG TDSON10-2
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 40V 逻辑电压 :0.8V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，400mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:380ns，380ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:700 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA，240mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA，240mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 6V 逻辑电压 :1.3V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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料号：P4-62
包装： 4000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.367400
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDSON
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15.6V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，45ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:210mA，360mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 40V 逻辑电压 :0.8V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，400mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:380ns，380ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA，130mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:700 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.7V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.3A，3.3A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :6V，9.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 20V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA，350mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA，240mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA，240mA *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 6V 逻辑电压 :1.3V，1.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-25°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 8V 逻辑电压 :0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:30 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 8V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：10-TDSON（3x3）
料号：P4-63
包装： 4000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥3.367400
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