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Tamura

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    PMIC- 栅极驱动器 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Tamura复制
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 0502
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT
电压 - 电源：15V ~ 24V
输入类型：-
丝印：
外壳：
封装：502
料号：P4-5011
包装： 25个/ 托盘
参考价格:￥783.169100
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可供数量:咨询
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：15V ~ 24V
输入类型：-
丝印：
外壳：
封装：502
料号：P4-5012
包装： 25个/ 托盘
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参考价格:￥783.169100
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品牌： Tamura复制
描述： GATE DRIVER (+18V,-2V)
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驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，SiC MOSFET
电压 - 电源：3V ~ 5.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：模块
料号：P4-5559
包装： 120个/ 散装
参考价格:￥783.169100
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描述： GATE DRIVER (+15V,-10V)
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描述： GATE DRIVER (+15V,-15V)
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品牌： Tamura复制
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驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，SiC MOSFET
电压 - 电源：3V ~ 5.5V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：模块
料号：P4-5562
包装： 120个/ 散装
参考价格:￥783.169100
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丝印：
外壳：
封装：模块
料号：P4-5568
包装： 20个/ 散装
参考价格:￥783.169100
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替代：
驱动配置：半桥
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电压 - 电源：5V
输入类型：-
丝印：
外壳：
封装：模块
料号：P4-5570
包装： 20个/ 散装
参考价格:￥783.169100
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描述： GATE DRIVER UNIT FOR FUJI ELECTR
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驱动配置：半桥
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料号：P4-5982
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品牌： Tamura复制
描述： GATE DRIVER UNIT FOR FUJI ELECTR
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT *电压 - 电源:15V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:15V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:15V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT *电压 - 电源:15V ~ 24V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:- *通道类型:- *驱动器数:- *栅极类型:- *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:- 安装类型:- *驱动配置:- *通道类型:- *驱动器数:- *栅极类型:- *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:- 安装类型:- *驱动配置:- *通道类型:- *驱动器数:- *栅极类型:- *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:- 安装类型:- *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5mA，- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5mA，- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5mA，- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:3V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5mA，- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:SiC MOSFET *电压 - 电源:5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:20mA，- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，SiC MOSFET *电压 - 电源:5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:SiC MOSFET *电压 - 电源:5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:20mA，- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:SiC MOSFET *电压 - 电源:5V 逻辑电压 :0.8V，8V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:20mA，- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:SiC MOSFET *电压 - 电源:5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:20mA，- *输入类型:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:500ns，500ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT *电压 - 电源:13V ~ 28V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:底座安装 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:IGBT *电压 - 电源:13V ~ 28V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:底座安装
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：IGBT
电压 - 电源：13V ~ 28V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：模块
料号：P4-5995
包装： 20个/ 托盘
参考价格:￥783.169100
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '4DUD51016CFN1' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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