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    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 [清除]
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
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外壳:
封装:TO-247
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替代:
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
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输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-2544
包装:
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丝印:
外壳:
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描述: IGBT 1200V 25A TO247-3
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IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A
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封装:TO-247
料号:JTG14-2553
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 30A TO247
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替代:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 30A TO247
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:384W 开关能量:700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/230ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:257W 开关能量:890µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td(开/关)值:85ns/174ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):77ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A *功率 - 最大值:223W 开关能量:1.1mJ(开),1.2mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/285ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A *功率 - 最大值:156W 开关能量:650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:155nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,20A *功率 - 最大值:64W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:60ns/193ns 测试条件:300V,20A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1.5mJ(开),950µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:91ns/228ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:260W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:560W 开关能量:4.4mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:136ns/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:130nC 25°C 时 Td(开/关)值:70ns/140ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
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丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-2557
包装:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 40A TO247
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:384W 开关能量:700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/230ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:257W 开关能量:890µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td(开/关)值:85ns/174ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):77ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A *功率 - 最大值:223W 开关能量:1.1mJ(开),1.2mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/285ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A *功率 - 最大值:156W 开关能量:650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:155nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,20A *功率 - 最大值:64W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:60ns/193ns 测试条件:300V,20A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1.5mJ(开),950µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:91ns/228ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:260W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:560W 开关能量:4.4mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:136ns/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:130nC 25°C 时 Td(开/关)值:70ns/140ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260W 开关能量:2.6mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:415nC 25°C 时 Td(开/关)值:130ns/385ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):200ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
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IGBT 类型:沟槽型场截止
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 40A TO247
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:384W 开关能量:700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/230ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:257W 开关能量:890µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td(开/关)值:85ns/174ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):77ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A *功率 - 最大值:223W 开关能量:1.1mJ(开),1.2mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/285ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A *功率 - 最大值:156W 开关能量:650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:155nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,20A *功率 - 最大值:64W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:60ns/193ns 测试条件:300V,20A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1.5mJ(开),950µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:91ns/228ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:260W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:560W 开关能量:4.4mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:136ns/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:130nC 25°C 时 Td(开/关)值:70ns/140ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260W 开关能量:2.6mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:415nC 25°C 时 Td(开/关)值:130ns/385ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):200ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260W 开关能量:1.4mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/360ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
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丝印:
外壳:
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包装:
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参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:384W 开关能量:700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/230ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:257W 开关能量:890µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td(开/关)值:85ns/174ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):77ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A *功率 - 最大值:223W 开关能量:1.1mJ(开),1.2mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:117ns/285ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,50A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A *功率 - 最大值:156W 开关能量:650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:155nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/160ns 测试条件:600V,20A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,20A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,20A *功率 - 最大值:64W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:60ns/193ns 测试条件:300V,20A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1.5mJ(开),950µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:91ns/228ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):240ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:260W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A *功率 - 最大值:192W 开关能量:1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/210ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A *功率 - 最大值:560W 开关能量:4.4mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:136ns/360ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:130nC 25°C 时 Td(开/关)值:70ns/140ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260W 开关能量:2.6mJ(开),1.6mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:415nC 25°C 时 Td(开/关)值:130ns/385ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):200ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260W 开关能量:1.4mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/360ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260W 开关能量:5.5mJ(开),1.4mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:140ns/360ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 40A TO247
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,30A *功率 - 最大值:384W 开关能量:700µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:225nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/230ns 测试条件:600V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,30A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A *功率 - 最大值:250W 开关能量:700µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:83ns/170ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A *功率 - 最大值:167W 开关能量:650µJ(开),650µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:81ns/190ns 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):72ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:257W 开关能量:890µJ(开),440µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td(开/关)值:85ns/174ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):77ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 50A TO247
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 75A TO247
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集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,40A *功率 - 最大值:260W 开关能量:5.5mJ(开),1.4mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:420nC 25°C 时 Td(开/关)值:140ns/360ns 测试条件:600V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:250W 开关能量:400µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:130nC 25°C 时 Td(开/关)值:70ns/140ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A *功率 - 最大值:223W 开关能量:1.1mJ(开),600µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:116ns/292ns 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):85ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A *功率 - 最大值:595W 开关能量:1.5mJ(开),1mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:310nC 25°C 时 Td(开/关)值:110ns/270ns 测试条件:400V,75A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):80ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A
功率 - 最大值:595W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-247
料号:JTG14-2563
包装:
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NGTB75N60FL2WG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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