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    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
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替代:
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功率 - 最大值:69W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:DPAK
料号:JTG14-106
包装:
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状态: 在售
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:NPT
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A
功率 - 最大值:60W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-252AA
料号:JTG14-108
包装:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 430V 21A TO252AA
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):430V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A
功率 - 最大值:150W
输入类型:逻辑
丝印:
外壳:
封装:TO-252AA
料号:JTG14-109
包装:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
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描述: IGBT 450V 23A TO252AA
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描述: IGBT 430V 21A TO220-3
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替代:
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功率 - 最大值:267W
输入类型:标准
丝印:
外壳:
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料号:JTG14-132
包装:
参考价格:18.136500
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丝印:
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参考价格:18.136500
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描述: IGBT 390V 46A TO220-3
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参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:23nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:970µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/35ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:858µJ(开),229µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:76nC 25°C 时 Td(开/关)值:17.6ns/75.2ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):131ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A *功率 - 最大值:178W 开关能量:370µJ(开),67µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:9.3ns/54.8ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):82.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
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丝印:
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包装:
参考价格:18.136500
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描述: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
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参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:23nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:970µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/35ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:858µJ(开),229µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:76nC 25°C 时 Td(开/关)值:17.6ns/75.2ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):131ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A *功率 - 最大值:178W 开关能量:370µJ(开),67µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:9.3ns/54.8ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):82.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.19mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:NPT 和沟道
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输入类型:标准
丝印:
外壳:
封装:TO-3P
料号:JTG14-157
包装:
参考价格:18.136500
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可供数量:咨询
总额:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:23nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:970µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/35ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:858µJ(开),229µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:76nC 25°C 时 Td(开/关)值:17.6ns/75.2ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):131ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A *功率 - 最大值:178W 开关能量:370µJ(开),67µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:9.3ns/54.8ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):82.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.19mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A
功率 - 最大值:312W
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外壳:
封装:TO-3P
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:23nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:970µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/35ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:858µJ(开),229µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:76nC 25°C 时 Td(开/关)值:17.6ns/75.2ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):131ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A *功率 - 最大值:178W 开关能量:370µJ(开),67µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:9.3ns/54.8ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):82.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.19mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,11A *功率 - 最大值:298W 开关能量:950µJ(开),1.3mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/180ns 测试条件:960V,11A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:NPT
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丝印:
外壳:
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包装:
参考价格:18.136500
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:23nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:970µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/35ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:858µJ(开),229µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:76nC 25°C 时 Td(开/关)值:17.6ns/75.2ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):131ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A *功率 - 最大值:178W 开关能量:370µJ(开),67µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:9.3ns/54.8ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):82.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.19mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,11A *功率 - 最大值:298W 开关能量:950µJ(开),1.3mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/180ns 测试条件:960V,11A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:239W 开关能量:250µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/70ns 测试条件:400V,20A,6欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,20A,6欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值:239W
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丝印:
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包装:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):450V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):23A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:23nC 25°C 时 Td(开/关)值:900ns/5.4µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:267W 开关能量:970µJ(开),280µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/35ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):34ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:238W 开关能量:858µJ(开),229µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:76nC 25°C 时 Td(开/关)值:17.6ns/75.2ns 测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):131ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,15A *功率 - 最大值:178W 开关能量:370µJ(开),67µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:9.3ns/54.8ns 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):82.4ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):390V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):46A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A *功率 - 最大值:250W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/10.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):280A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A *功率 - 最大值:290W 开关能量:105µJ(开),150µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:142nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/73ns 测试条件:390V,20A,3 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):390V,20A,3 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A *功率 - 最大值:290W 开关能量:1.19mJ(开),460µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:120nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/112ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,40A,10 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT 和沟道 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A *功率 - 最大值:312W 开关能量:4.1mJ(开),960µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:200nC 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/190ns 测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):350ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):43A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,11A *功率 - 最大值:298W 开关能量:950µJ(开),1.3mJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:100nC 25°C 时 Td(开/关)值:23ns/180ns 测试条件:960V,11A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):70ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A *功率 - 最大值:239W 开关能量:250µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:68nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/70ns 测试条件:400V,20A,6欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):400V,20A,6欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,15A *功率 - 最大值:333W 开关能量:340µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:160nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/170ns 测试条件:600V,15A,10 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,15A,10 欧姆,15V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
IGBT 类型:沟槽型场截止
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丝印:
外壳:
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包装:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 70A 290W TO247
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 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替代:
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包装:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT 600V 40A 165W TO247
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 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丝印:
外壳:
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料号:JTG14-176
包装:
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品牌: ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
参数: *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12.5A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.6V @ 15V,5A *功率 - 最大值:69W 开关能量:247µJ(开),94µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:6.7nC 25°C 时 Td(开/关)值:4.8ns/24.8ns 测试条件:600V,5A,30 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):600V,5A,30 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:NPT *电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):6A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A *功率 - 最大值:60W 开关能量:70µJ(开),90µJ(关) *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/67ns 测试条件:960V,1A,82 欧姆,15V 反向恢复时间 (trr):960V,1A,82 欧姆,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):430V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A *功率 - 最大值:150W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:17nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/4.8µs 测试条件:300V,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿(最大值):400V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):26.9A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):26.9A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A *功率 - 最大值:166W 开关能量:- *输入类型:逻辑 栅极电荷:24nC 25°C 时 Td(开/关)值:-/5.3µs 测试条件:300V,6.5A,1 千欧,5V 反向恢复时间 (trr):300V,6.5A,1 千欧,5V 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 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