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Toshiba Semiconductor 东芝

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    晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
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功率 - 最大值：230W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3P（N）
料号：JTG14-1459
包装：
参考价格:￥20.001000
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描述： IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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输入类型：标准
丝印：
外壳：
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描述： IGBT 400V 1W 8-SOIC
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IGBT 600V 10A 60W TO220SM
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IGBT 类型：-
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输入类型：标准
丝印：
外壳：
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料号：JTG14-2198
包装：
参考价格:￥20.001000
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:230W 开关能量:800µJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/280ns 测试条件:300V，30A，24 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):50ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，30A *功率 - 最大值:170W 开关能量:1mJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:90ns/300ns 测试条件:300V，30A，24 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，30A，24 欧姆，15V 工作温度:300V，30A，24 欧姆，15V 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4V，200A *功率 - 最大值:1W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:3.1µs/2µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:60W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:400ns/400ns 测试条件:300V，10A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):200ns 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，60A *功率 - 最大值:170W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:330ns/700ns 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):2.5µs 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IGBT 400V 600MW 8TSSOP
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品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝
描述： IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:59A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A *功率 - 最大值:230W 开关能量:800µJ（开），600µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:80ns/280ns 测试条件:300V，30A，24 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):50ns 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，30A *功率 - 最大值:170W 开关能量:1mJ（开），800µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:90ns/300ns 测试条件:300V，30A，24 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，30A，24 欧姆，15V 工作温度:300V，30A，24 欧姆，15V 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 4V，200A *功率 - 最大值:1W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:3.1µs/2µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A *功率 - 最大值:60W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:400ns/400ns 测试条件:300V，10A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):200ns 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:1000V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，60A *功率 - 最大值:170W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:330ns/700ns 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):2.5µs 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:400V 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.9V @ 4V，150A *功率 - 最大值:600mW 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:1.7µs/2µs 测试条件:- 反向恢复时间 (trr):- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，50A *功率 - 最大值:240W 开关能量:1.3mJ（开），1.34mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:标准 25°C 时 Td（开/关）值:90ns/300ns 测试条件:300V，50A，13 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):300V，50A，13 欧姆，15V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，50A
功率 - 最大值：240W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3P（LH）
料号：JTG14-2201
包装：
参考价格:￥20.001000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GT50J121(Q)' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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