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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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    晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 400V 30A IGNITION IGBT
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替代：
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电压 - 集射极击穿（最大值）：430V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.0V @ 5V，10A
功率 - 最大值：125W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-252
料号：JTG14-66
包装：
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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状态： 在售
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： IGBT
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输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-252
料号：JTG14-67
包装：
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包装：
参考价格:￥21.955900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ（开），490µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
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替代：
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料号：JTG14-80
包装：
参考价格:￥21.955900
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外壳：
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料号：JTG14-82
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描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ（开），490µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ（开），720µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
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丝印：
外壳：
封装：TO-3PFM
料号：JTG14-86
包装：
参考价格:￥21.955900
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总额：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ（开），490µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ（开），720µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
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输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-3PFM
料号：JTG14-87
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参考价格:￥21.955900
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IGBT 类型：沟槽型场截止
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ（开），490µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ（开），720µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):225ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
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丝印：
外壳：
封装：TO-3PFM
料号：JTG14-89
包装：
参考价格:￥21.955900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:72W 开关能量:480µJ（开），490µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/114ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ（开），720µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):225ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A *功率 - 最大值:223W 开关能量:660µJ（开），810µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):103ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值：223W
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丝印：
外壳：
封装：TO-247N
料号：JTG14-90
包装：
参考价格:￥21.955900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
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功率 - 最大值：276W
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丝印：
外壳：
封装：TO-247N
料号：JTG14-91
包装：
参考价格:￥21.955900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A *功率 - 最大值:223W 开关能量:660µJ（开），810µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):103ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:276W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A *功率 - 最大值:404W 开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，80A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
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功率 - 最大值：404W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247N
料号：JTG14-92
包装：
参考价格:￥21.955900
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
参数： *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:430V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:125W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:22nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 75°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:- *电压 - 集射极击穿（最大值）:460V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.0V @ 5V，10A *功率 - 最大值:107W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:500ns/4µs 测试条件:300V，8A，100 欧姆，5V 反向恢复时间 (trr):300V，8A，100 欧姆，5V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):45A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，15A *功率 - 最大值:133W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:32nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/64ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):55ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 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集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:31A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:66W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:79nC 25°C 时 Td（开/关）值:34ns/120ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):58ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，30A *功率 - 最大值:76W 开关能量:570µJ（开），500µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:64nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/105ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:96A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:254W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:73A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，40A *功率 - 最大值:272W 开关能量:1.05mJ（开），1.03mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:48nC 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/112ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，40A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:39A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，40A *功率 - 最大值:81W 开关能量:760µJ（开），720µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:110nC 25°C 时 Td（开/关）值:44ns/143ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):92ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:94W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:72W 开关能量:- *输入类型:标准 栅极电荷:94nC 25°C 时 Td（开/关）值:39ns/143ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):225ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:45A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:89W 开关能量:1.18mJ（开），960µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:141nC 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/180ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):95ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:56A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A *功率 - 最大值:223W 开关能量:660µJ（开），810µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:36nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/104ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):103ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:95A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，50A *功率 - 最大值:276W 开关能量:1.17mJ（开），940µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:104nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/142ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):102ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:144A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):320A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，80A *功率 - 最大值:404W 开关能量:2.65mJ（开），1.8mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:171nC 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/201ns 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，80A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:沟槽型场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:88A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A *功率 - 最大值:326W 开关能量:1.46mJ（开），1.29mJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:58nC 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/115ns 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):400V，50A，10 欧姆，15V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值：326W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247N
料号：JTG14-93
包装：
参考价格:￥21.955900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RGS00TS65HRC11' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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