首页 >> 所有制造商 >> Microsemi

Microsemi Corporation 美高森美

Microsemi

官网

    晶体管 - IGBT - 模块 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(63) { ["id"]=> string(1) "3" ["pdf_add"]=> string(79) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6474-apt75gp120jdq3-a-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APT2X60D60J.JPG" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APT2X60D60J.JPG" ["ljbh"]=> string(17) "APT75GP120JDQ3-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "APT75GP120JDQ3" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(4) "1040" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "279.690000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP" ["xl"]=> string(13) "POWER MOS 7®" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(2) "PT" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "128A" ["gl_zdz"]=> string(4) "543W" ["bt_vge_ic"]=> string(16) "3.9V @ 15V，75A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "1.25mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "7.04nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(6) "ISOTOP" ["gysqjfz"]=> string(8) "ISOTOP®" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "-" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT75GP120JDQ3复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：128A
功率 - 最大值：543W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-3
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(1) "4" ["pdf_add"]=> string(82) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123465 " ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APT2X60D60J.JPG" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APT2X60D60J.JPG" ["ljbh"]=> string(19) "APT100GT120JRDQ4-ND" ["zzsbh"]=> string(16) "APT100GT120JRDQ4" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "208" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "329.150000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP" ["xl"]=> string(18) "Thunderbolt IGBT®" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "123A" ["gl_zdz"]=> string(4) "570W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "3.7V @ 15V，100A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "200µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "7.85nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(6) "ISOTOP" ["gysqjfz"]=> string(8) "ISOTOP®" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "-" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT100GT120JRDQ4复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：123A
功率 - 最大值：570W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-4
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(1) "5" ["pdf_add"]=> string(79) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7924" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(62) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGT600A60G.JPG" ["images"]=> string(82) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGT600A60G.JPG" ["ljbh"]=> string(15) "APTGT600A60G-ND" ["zzsbh"]=> string(12) "APTGT600A60G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "126" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "半桥" ["dy_jsjj"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(4) "700A" ["gl_zdz"]=> string(5) "2300W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "1.8V @ 15V，600A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "750µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(10) "49nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(3) "SP6" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGT600A60G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600A60G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600A60G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：700A
功率 - 最大值：2300W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：SP6
料号：JTG11-5
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600A60G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(1) "6" ["pdf_add"]=> string(79) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7931" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(65) "//media.digikey.com/Photos/Microsemi%20Photos/APTGT600U170D4G.jpg" ["images"]=> string(85) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGT600U170D4G.jpg" ["ljbh"]=> string(18) "APTGT600U170D4G-ND" ["zzsbh"]=> string(15) "APTGT600U170D4G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "41" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1700V" ["dl_jdj"]=> string(5) "1100A" ["gl_zdz"]=> string(5) "2900W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.4V @ 15V，600A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(3) "1mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(10) "51nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(2) "D4" ["gysqjfz"]=> string(2) "D4" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "5" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGT600U170D4G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：1100A
功率 - 最大值：2900W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：D4
料号：JTG11-6
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(1) "7" ["pdf_add"]=> string(80) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7633 " ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(65) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGL475A120D3G.JPG" ["images"]=> string(85) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGL475A120D3G.JPG" ["ljbh"]=> string(18) "APTGL475A120D3G-ND" ["zzsbh"]=> string(15) "APTGL475A120D3G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "32" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "2.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "半桥" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "610A" ["gl_zdz"]=> string(5) "2080W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.2V @ 15V，400A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(3) "5mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "24.6nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(10) "D-3 模块" ["gysqjfz"]=> string(2) "D3" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGL475A120D3G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：610A
功率 - 最大值：2080W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：D3
料号：JTG11-7
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "11" ["pdf_add"]=> string(83) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/123529-aptgf75h120tg-rev4-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(63) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGF75H120TG.JPG" ["images"]=> string(83) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGF75H120TG.JPG" ["ljbh"]=> string(16) "APTGF75H120TG-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "APTGF75H120TG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "30" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["pz"]=> string(15) "全桥反相器" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "100A" ["gl_zdz"]=> string(4) "500W" ["bt_vge_ic"]=> string(16) "3.7V @ 15V，75A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "250µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(11) "5.1nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "是" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(3) "SP4" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP4" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(2) "20" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGF75H120TG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF75H120TG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF75H120TG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装
替代：
配置：全桥反相器
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100A
功率 - 最大值：500W
输入：标准
ntc 热敏电阻：是
丝印：
外壳：
封装：SP4
料号：JTG11-11
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75H120TG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "12" ["pdf_add"]=> string(83) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/7637-aptgl475u120dag-rev2-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(65) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGL475U120DAG.JPG" ["images"]=> string(85) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGL475U120DAG.JPG" ["ljbh"]=> string(18) "APTGL475U120DAG-ND" ["zzsbh"]=> string(15) "APTGL475U120DAG" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "42" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "610A" ["gl_zdz"]=> string(5) "2307W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.2V @ 15V，400A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(3) "4mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "24.6nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(3) "SP6" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGL475U120DAG复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475U120DAG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475U120DAG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：610A
功率 - 最大值：2307W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：SP6
料号：JTG11-12
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475U120DAG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "14" ["pdf_add"]=> string(76) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5922-apt200gn60j-b-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APT2X60D60J.JPG" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APT2X60D60J.JPG" ["ljbh"]=> string(14) "APT200GN60J-ND" ["zzsbh"]=> string(11) "APT200GN60J" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "351" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "198.140000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(4) "283A" ["gl_zdz"]=> string(4) "682W" ["bt_vge_ic"]=> string(18) "1.85V @ 15V，200A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(5) "25µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "14.1nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(6) "ISOTOP" ["gysqjfz"]=> string(8) "ISOTOP®" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "-" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT200GN60J复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60J' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60J' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：283A
功率 - 最大值：682W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-14
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60J' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "15" ["pdf_add"]=> string(76) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6473-apt75gp120j-b-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APT75GP120J.JPG" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APT75GP120J.JPG" ["ljbh"]=> string(14) "APT75GP120J-ND" ["zzsbh"]=> string(11) "APT75GP120J" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "135" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "260.190000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP" ["xl"]=> string(13) "POWER MOS 7®" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(2) "PT" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "128A" ["gl_zdz"]=> string(4) "543W" ["bt_vge_ic"]=> string(16) "3.9V @ 15V，75A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(3) "1mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "7.04nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(6) "ISOTOP" ["gysqjfz"]=> string(8) "ISOTOP®" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "-" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT75GP120J复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GP120J' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GP120J' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：128A
功率 - 最大值：543W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-15
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120J' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "16" ["pdf_add"]=> string(82) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6570-apt100gt120ju2-rev4-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APT2X60D60J.JPG" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APT2X60D60J.JPG" ["ljbh"]=> string(17) "APT100GT120JU2-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "APT100GT120JU2" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "535" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "222.100000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "140A" ["gl_zdz"]=> string(4) "480W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.1V @ 15V，100A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(3) "5mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(11) "7.2nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(6) "ISOTOP" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-227" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT100GT120JU2复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JU2' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JU2' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：140A
功率 - 最大值：480W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：SOT-227
料号：JTG11-16
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JU2' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "17" ["pdf_add"]=> string(80) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7922 " ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(63) "//media.digikey.com/Photos/Microsemi%20Photos/APTGT50X60T3G.JPG" ["images"]=> string(83) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGT50X60T3G.JPG" ["ljbh"]=> string(16) "APTGT50X60T3G-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "APTGT50X60T3G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "129" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "547.560000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(15) "三相反相器" ["dy_jsjj"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(3) "80A" ["gl_zdz"]=> string(4) "176W" ["bt_vge_ic"]=> string(16) "1.9V @ 15V，50A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "250µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "3.15nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "是" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(3) "SP3" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP3" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(2) "22" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGT50X60T3G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50X60T3G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50X60T3G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：三相反相器
电流 - 集电极（ic）（最大值）：80A
功率 - 最大值：176W
输入：标准
ntc 热敏电阻：是
丝印：
外壳：
封装：SP3
料号：JTG11-17
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT50X60T3G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "18" ["pdf_add"]=> string(85) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/124008-aptgfq25h120t2g-rev1-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(65) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGFQ25H120T2G.JPG" ["images"]=> string(85) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGFQ25H120T2G.JPG" ["ljbh"]=> string(18) "APTGFQ25H120T2G-ND" ["zzsbh"]=> string(15) "APTGFQ25H120T2G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "161" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(9) "74.340000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(26) "IGBT 1200V 40A 227W MODULE" ["xl"]=> string(21) "不可用于新设计" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(22) "NPT 型和场截止型" ["pz"]=> string(6) "全桥" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(3) "40A" ["gl_zdz"]=> string(4) "227W" ["bt_vge_ic"]=> string(16) "2.1V @ 15V，25A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "250µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "2.02nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "是" ["gzwd"]=> string(0) "" ["azlx"]=> string(6) "通孔" ["fz_wk"]=> string(3) "SP2" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP2" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(1) "-" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(2) "18" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGFQ25H120T2G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT 1200V 40A 227W MODULE
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔
替代：
配置：全桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：40A
功率 - 最大值：227W
输入：标准
ntc 热敏电阻：是
丝印：
外壳：
封装：SP2
料号：JTG11-18
包装： -
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "20" ["pdf_add"]=> string(80) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7197 " ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APT2X60D60J.JPG" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APT2X60D60J.JPG" ["ljbh"]=> string(18) "APT60GF120JRDQ3-ND" ["zzsbh"]=> string(15) "APT60GF120JRDQ3" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "31" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "601.860000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "149A" ["gl_zdz"]=> string(4) "625W" ["bt_vge_ic"]=> string(15) "3V @ 15V，100A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "350µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "7.08nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(6) "ISOTOP" ["gysqjfz"]=> string(8) "ISOTOP®" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "-" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT60GF120JRDQ3复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT60GF120JRDQ3' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT60GF120JRDQ3' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：149A
功率 - 最大值：625W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-20
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT60GF120JRDQ3' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "24" ["pdf_add"]=> string(79) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7770" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(64) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGT200DU120G.JPG" ["images"]=> string(84) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGT200DU120G.JPG" ["ljbh"]=> string(17) "APTGT200DU120G-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "APTGT200DU120G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "39" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(12) "双，共源" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "280A" ["gl_zdz"]=> string(4) "890W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.1V @ 15V，200A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "350µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(10) "14nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(3) "SP6" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGT200DU120G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT200DU120G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT200DU120G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：双，共源
电流 - 集电极（ic）（最大值）：280A
功率 - 最大值：890W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：SP6
料号：JTG11-24
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200DU120G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "25" ["pdf_add"]=> string(74) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Microsemi%20PDFs/APTGL475U120D4G.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(65) "//media.digikey.com/Photos/Microsemi%20Photos/APTGL475U120D4G.JPG" ["images"]=> string(85) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGL475U120D4G.JPG" ["ljbh"]=> string(18) "APTGL475U120D4G-ND" ["zzsbh"]=> string(15) "APTGL475U120D4G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "50" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MODULE 1200V 610A 2082W D4" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "610A" ["gl_zdz"]=> string(5) "2082W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.2V @ 15V，400A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(3) "4mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "24.6nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(2) "D4" ["gysqjfz"]=> string(2) "D4" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "5" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGL475U120D4G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475U120D4G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475U120D4G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2082W D4
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：610A
功率 - 最大值：2082W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：D4
料号：JTG11-25
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475U120D4G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "27" ["pdf_add"]=> string(81) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/7521-aptgf300a120g-rev3-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(63) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGF300A120G.JPG" ["images"]=> string(83) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGF300A120G.JPG" ["ljbh"]=> string(16) "APTGF300A120G-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "APTGF300A120G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "32" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(32) "IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["pz"]=> string(6) "半桥" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "400A" ["gl_zdz"]=> string(5) "1780W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "3.9V @ 15V，300A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "500µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(10) "21nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(1) "-" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(3) "SP6" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGF300A120G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF300A120G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGF300A120G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装
替代：
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：400A
功率 - 最大值：1780W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：SP6
料号：JTG11-27
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF300A120G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "28" ["pdf_add"]=> string(78) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125228-apt85gr120j-b-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(71) "//media.digikey.com/Photos/Microsemi%20Photos/SOT-227-4,%20miniBLOC.jpg" ["images"]=> string(89) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/SOT-227-4,_miniBLOC.jpg" ["ljbh"]=> string(14) "APT85GR120J-ND" ["zzsbh"]=> string(11) "APT85GR120J" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(3) "116" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "196.220000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(3) "NPT" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "116A" ["gl_zdz"]=> string(4) "543W" ["bt_vge_ic"]=> string(16) "3.2V @ 15V，85A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(3) "1mA" ["bt_vce_srdr"]=> string(11) "8.4nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(20) "SOT-227-4，MINIBLOC" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-227" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT85GR120J复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT85GR120J' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT85GR120J' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:116A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：116A
功率 - 最大值：543W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：SOT-227
料号：JTG11-28
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT85GR120J' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "29" ["pdf_add"]=> string(79) "http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7757" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(63) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APTGT200A120G.JPG" ["images"]=> string(83) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APTGT200A120G.JPG" ["ljbh"]=> string(16) "APTGT200A120G-ND" ["zzsbh"]=> string(13) "APTGT200A120G" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "33" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "1.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "半桥" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "280A" ["gl_zdz"]=> string(4) "890W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.1V @ 15V，200A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "350µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(10) "14nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(3) "SP6" ["gysqjfz"]=> string(3) "SP6" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "8" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APTGT200A120G复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT200A120G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT200A120G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:116A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：280A
功率 - 最大值：890W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：SP6
料号：JTG11-29
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT200A120G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "44" ["pdf_add"]=> string(80) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6632-apt150gn120jdq4-a-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(71) "//media.digikey.com/Photos/Microsemi%20Photos/SOT-227-4,%20miniBLOC.jpg" ["images"]=> string(89) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/SOT-227-4,_miniBLOC.jpg" ["ljbh"]=> string(18) "APT150GN120JDQ4-ND" ["zzsbh"]=> string(15) "APT150GN120JDQ4" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "77" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "362.870000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(5) "1200V" ["dl_jdj"]=> string(4) "215A" ["gl_zdz"]=> string(4) "625W" ["bt_vge_ic"]=> string(17) "2.1V @ 15V，150A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(6) "300µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(11) "9.5nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(20) "SOT-227-4，MINIBLOC" ["gysqjfz"]=> string(8) "ISOTOP®" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "-" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT150GN120JDQ4复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT150GN120JDQ4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT150GN120JDQ4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:116A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：215A
功率 - 最大值：625W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-44
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT150GN120JDQ4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(63) { ["id"]=> string(2) "49" ["pdf_add"]=> string(76) "http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5922-apt200gn60j-b-pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/photos/Microsemi%20Photos/APT2X60D60J.JPG" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Microsemi_Photos/APT2X60D60J.JPG" ["ljbh"]=> string(19) "APT200GN60JDQ4MI-ND" ["zzsbh"]=> string(14) "APT200GN60JDQ4" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(2) "32" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(10) "253.200000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(21) "Microsemi Corporation" ["igbtlx"]=> string(18) "沟槽型场截止" ["pz"]=> string(6) "单路" ["dy_jsjj"]=> string(4) "600V" ["dl_jdj"]=> string(4) "283A" ["gl_zdz"]=> string(4) "682W" ["bt_vge_ic"]=> string(18) "1.85V @ 15V，200A" ["dl_jdjjz_zdz"]=> string(5) "50µA" ["bt_vce_srdr"]=> string(12) "14.1nF @ 25V" ["sr"]=> string(6) "标准" ["ntc_rmdz"]=> string(3) "无" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 175°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "底座安装" ["fz_wk"]=> string(6) "ISOTOP" ["gysqjfz"]=> string(8) "ISOTOP®" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "1" ["gl_pin"]=> string(1) "-" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "132" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(17) "golon_jtg_igbt_mk" ["ch_bm"]=> string(25) "晶体管 - IGBT - 模块" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： APT200GN60JDQ4复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60JDQ4' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT200GN60JDQ4' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： Microsemi Corporation复制 Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2082W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:1780W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:21nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:116A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:8.4nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:280A *功率 - 最大值:890W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:300µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
替代：
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：283A
功率 - 最大值：682W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
丝印：
外壳：
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-49
包装：
参考价格:￥316.049700
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT200GN60JDQ4' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
  共有498个记录    每页显示20条，本页1-20条    1/25页   1  2  3  4  5   下一页    尾 页      

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！
去购物车结算 继续采购
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922