array(62) {
["id"]=>
string(3) "197"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570099"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(67) "//media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/56-VFQFN.jpg"
["images"]=>
string(85) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Microchip_Tech_Renders/56-VFQFN.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "TC8020K6-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC8020K6-G"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(3) "389"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "62.590000"
["gys_id"]=>
string(3) "146"
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1565602616"
["ms"]=>
string(27) "MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(18) "6 N 和 6 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(19) "8 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.4V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "50pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(21) "56-VFQFN 裸露焊盘"
["gysqjfz"]=>
string(15) "56-QFN（8X8）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(2) "56"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(4) "1668"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC8020K6-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC8020K6-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC8020K6-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：6 N 和 6 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：56-QFN（8X8）
料号：JTG10-197
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC8020K6-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(3) "405"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570585"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "//media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/8-VDFN-EP(bottom).jpg"
["images"]=>
string(94) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Microchip_Tech_Renders/8-VDFN-EP(bottom).jpg"
["ljbh"]=>
string(14) "DN2625DK6-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(11) "DN2625DK6-G"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(3) "550"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "19.120000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(28) "MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(12) "耗尽模式"
["ldjdy"]=>
string(4) "250V"
["dl_lxlj"]=>
string(4) "1.1A"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "3.5 欧姆 @ 1A，0V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(1) "-"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(13) "7.04nC @ 1.5V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(12) "1000pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(19) "8-VDFN 裸露焊盘"
["gysqjfz"]=>
string(14) "8-DFN（5X5）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
.jpg)
|
型号： DN2625DK6-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DN2625DK6-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DN2625DK6-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：耗尽模式
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极（id）：1.1A
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-DFN（5X5）
料号：JTG10-405
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DN2625DK6-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(3) "846"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570098"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(15) "TC6320TG-GTR-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC6320TG-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(19) "7 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(8) "2V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "110pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC6320TG-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6320TG-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6320TG-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-846
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC6320TG-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1685"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570098"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(76) "//media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/8-VDFN-EP(bottom).jpg"
["images"]=>
string(94) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Microchip_Tech_Renders/8-VDFN-EP(bottom).jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "TC6320K6-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC6320K6-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(19) "7 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(8) "2V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "110pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(19) "8-VDFN 裸露焊盘"
["gysqjfz"]=>
string(14) "8-DFN（4X4）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC6320K6-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6320K6-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6320K6-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-DFN（4X4）
料号：JTG10-1685
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC6320K6-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1688"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570097"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "TC6215TG-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC6215TG-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "150V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(19) "4 欧姆 @ 2A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(8) "2V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "120pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC6215TG-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6215TG-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6215TG-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：150V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1688
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC6215TG-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1690"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570650"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "TD9944TG-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TD9944TG-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(23) "MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(19) "2 N-通道（双）"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "240V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "6 欧姆 @ 500mA，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(8) "2V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "125pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TD9944TG-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TD9944TG-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TD9944TG-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-通道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：240V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1690
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TD9944TG-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1693"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570096"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "TC2320TG-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC2320TG-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(19) "7 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(8) "2V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(11) "110pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC2320TG-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC2320TG-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC2320TG-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1693
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC2320TG-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1701"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570648"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(65) "//media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/12-DFN.jpg"
["images"]=>
string(83) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Microchip_Tech_Renders/12-DFN.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "TC7920K6-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC7920K6-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "10.670000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(27) "MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(32) "2 个 N 通道和 2 个 P 通道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(20) "10 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.4V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "52pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(21) "12-VFDFN 裸露焊盘"
["gysqjfz"]=>
string(15) "12-DFN（4X4）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(2) "12"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC7920K6-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC7920K6-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC7920K6-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：12-DFN（4X4）
料号：JTG10-1701
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC7920K6-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1702"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570649"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(65) "//media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/12-DFN.jpg"
["images"]=>
string(83) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Microchip_Tech_Renders/12-DFN.jpg"
["ljbh"]=>
string(13) "TC8220K6-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC8220K6-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(27) "MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(32) "2 个 N 通道和 2 个 P 通道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(19) "6 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.4V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "56pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(21) "12-VFDFN 裸露焊盘"
["gysqjfz"]=>
string(15) "12-DFN（4X4）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(2) "12"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC8220K6-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC8220K6-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC8220K6-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 N 通道和 2 个 P 通道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：12-DFN（4X4）
料号：JTG10-1702
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC8220K6-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1766"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570095"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(63) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/8-SOIC.jpg"
["images"]=>
string(79) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/8-SO-4.85-3.9-1.27.webp"
["ljbh"]=>
string(13) "TC1550TG-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(10) "TC1550TG-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3300"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(24) "MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "500V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "60 欧姆 @ 50mA，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(8) "4V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "55pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(32) "8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）"
["gysqjfz"]=>
string(6) "8-SOIC"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "769"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC1550TG-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC1550TG-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC1550TG-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：500V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1766
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC1550TG-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "1772"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570099"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(67) "//media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/56-VFQFN.jpg"
["images"]=>
string(85) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Microchip_Tech_Renders/56-VFQFN.jpg"
["ljbh"]=>
string(18) "TC8020K6-G-M937-ND"
["zzsbh"]=>
string(15) "TC8020K6-G-M937"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(9) "47.920000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(27) "MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(18) "6 N 和 6 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(19) "8 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.4V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "50pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-55°C ~ 150°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(21) "56-VFQFN 裸露焊盘"
["gysqjfz"]=>
string(15) "56-QFN（8X8）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(2) "56"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(0) ""
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(4) "1668"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC8020K6-G-M937复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC8020K6-G-M937' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC8020K6-G-M937' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：6 N 和 6 P 沟道
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：56-QFN（8X8）
料号：JTG10-1772
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC8020K6-G-M937' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "2826"
["pdf_add"]=>
string(71) "http://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en570636"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(69) "http://media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/SOT25.jpg"
["images"]=>
string(77) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/5-SO-2.9-1.6-0.95.jpg"
["ljbh"]=>
string(14) "LP1030DK1-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(11) "LP1030DK1-G"
["zddgs"]=>
string(4) "2500"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(10) "1565766390"
["ms"]=>
string(25) "MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(23) "2 个 P 沟道（双）"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(4) "300V"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "180 欧姆 @ 20mA，7V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.4V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(12) "10.8pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(23) "-25°C ~ 125°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(16) "SC-74A，SOT-753"
["gysqjfz"]=>
string(8) "SOT-23-5"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "5"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "P0T*"
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "1"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(3) "800"
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(3) "111"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： LP1030DK1-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LP1030DK1-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LP1030DK1-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 个 P 沟道（双）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：300V
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：-
|
外壳：
封装：SOT-23-5
料号：JTG10-2826
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LP1030DK1-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "2828"
["pdf_add"]=>
string(64) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Microchip%20PDFs/LN100.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(1) "-"
["images"]=>
string(1) " "
["ljbh"]=>
string(12) "LN100LA-G-ND"
["zzsbh"]=>
string(9) "LN100LA-G"
["zddgs"]=>
string(4) "3000"
["xysl"]=>
string(1) "0"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(18) "MOSFET 2N-CH 1200V"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(22) "2 N-沟道（级联）"
["fetgn"]=>
string(6) "标准"
["ldjdy"]=>
string(16) "1200V（1.2kV）"
["dl_lxlj"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(24) "3000 欧姆 @ 2mA，2.8V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(12) "1.6V @ 10µA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(10) "50pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(5) "350mW"
["gzwd"]=>
string(23) "-25°C ~ 125°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(7) "6-VFLGA"
["gysqjfz"]=>
string(15) "6-LFGA（3X3）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "6"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(4) "L100"
["gl_dmtp"]=>
string(47) "JtgFetMosfetZlGlDm/2018-03-18/5aad6774dff78.jpg"
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
string(1) "-"
["gl_gnd"]=>
string(1) "-"
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
string(0) ""
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "1"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(1) "0"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： LN100LA-G复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LN100LA-G' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LN100LA-G' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：2 N-沟道（级联）
fet 功能：标准
漏源极电压（vdss）：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（id）：-
功率 - 最大值：350mW
|
外壳：
封装：6-LFGA（3X3）
料号：JTG10-2828
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN100LA-G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "3181"
["pdf_add"]=>
string(61) "http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/20005724A.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
string(78) "//media.digikey.com/Renders/Microchip%20Tech%20Renders/150;-C04-413;-9U;-8.jpg"
["images"]=>
string(96) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Microchip_Tech_Renders/150;-C04-413;-9U;-8.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(12) "TC6321T-V/9U"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "0.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(27) "MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(14) "N 和 P 沟道"
["fetgn"]=>
string(15) "逻辑电平门"
["ldjdy"]=>
string(4) "200V"
["dl_lxlj"]=>
string(10) "2A（Ta）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(41) "7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(21) "2V @ 1mA，2.4V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(25) "110pF @ 25V，200pF @ 25V"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(15) "-55°C ~ 175°C"
["azlx"]=>
string(15) "表面贴装型"
["fz_wk"]=>
string(19) "8-VDFN 裸露焊盘"
["gysqjfz"]=>
string(15) "8-VDFN（6X5）"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
string(1) " "
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(1) "2"
["gl_pin"]=>
string(1) "8"
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1515398348"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： TC6321T-V/9U复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6321T-V/9U' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC6321T-V/9U' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA，2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V，200pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 标签:
|
fet 类型：N 和 P 沟道
fet 功能：逻辑电平门
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极（id）：2A（Ta）
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：8-VDFN（6X5）
料号：JTG10-3181
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC6321T-V/9U' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "3703"
["pdf_add"]=>
string(90) "https://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/1244785-mscsm120am50ct1ag-datasheet"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(17) "MSCSM120AM50CT1AG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(10) "650.090000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(23) "PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(22) "2 N 沟道（相角）"
["fetgn"]=>
string(18) "碳化硅（SiC）"
["ldjdy"]=>
string(16) "1200V（1.2kV）"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "55A（Tc）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "50 毫欧 @ 40A，20V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.7V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "137nC @ 20V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(14) "1990pF @ 1000V"
["gn_zdz"]=>
string(12) "245W（Tc）"
["gzwd"]=>
string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(12) "底座安装"
["fz_wk"]=>
string(6) "模块"
["gysqjfz"]=>
string(4) "SP1F"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906472"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： MSCSM120AM50CT1AG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM50CT1AG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM50CT1AG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA，2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V，200pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V *功率 - 最大值:245W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签:
|
fet 类型：2 N 沟道（相角）
fet 功能：碳化硅（SiC）
漏源极电压（vdss）：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（id）：55A（Tc）
功率 - 最大值：245W（Tc）
|
丝印：
外壳：
封装：SP1F
料号：JTG10-3703
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM50CT1AG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "3707"
["pdf_add"]=>
string(89) "https://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/1244935-mscsm70am19ct1ag-datasheet"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(16) "MSCSM70AM19CT1AG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(10) "868.110000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(23) "PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(22) "2 N 沟道（相角）"
["fetgn"]=>
string(18) "碳化硅（SiC）"
["ldjdy"]=>
string(4) "700V"
["dl_lxlj"]=>
string(12) "124A（Tc）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(21) "19 毫欧 @ 40A，20V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.4V @ 4mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "215nC @ 20V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(13) "4500pF @ 700V"
["gn_zdz"]=>
string(12) "365W（Tc）"
["gzwd"]=>
string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(12) "底座安装"
["fz_wk"]=>
string(6) "模块"
["gysqjfz"]=>
string(4) "SP1F"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906483"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： MSCSM70AM19CT1AG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70AM19CT1AG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70AM19CT1AG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA，2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V，200pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V *功率 - 最大值:245W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极（id）:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V *功率 - 最大值:365W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签:
|
fet 类型：2 N 沟道（相角）
fet 功能：碳化硅（SiC）
漏源极电压（vdss）：700V
电流 - 连续漏极（id）：124A（Tc）
功率 - 最大值：365W（Tc）
|
丝印：
外壳：
封装：SP1F
料号：JTG10-3707
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM19CT1AG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "3708"
["pdf_add"]=>
string(61) "http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/00003052C.pdf"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(16) "MSCC60VRM99CT3AG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(10) "879.630000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(26) "PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP3F"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(1) "-"
["fetgn"]=>
string(1) "-"
["ldjdy"]=>
string(4) "600V"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "19A（Tc）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(1) "-"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(1) "-"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(1) "-"
["bt_vds_srdr"]=>
string(1) "-"
["gn_zdz"]=>
string(1) "-"
["gzwd"]=>
string(1) "-"
["azlx"]=>
string(12) "底座安装"
["fz_wk"]=>
string(6) "模块"
["gysqjfz"]=>
string(4) "SP3F"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906484"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： MSCC60VRM99CT3AG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCC60VRM99CT3AG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCC60VRM99CT3AG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP3F
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA，2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V，200pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V *功率 - 最大值:245W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极（id）:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V *功率 - 最大值:365W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:底座安装 标签:
|
fet 类型：-
fet 功能：-
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极（id）：19A（Tc）
功率 - 最大值：-
|
丝印：
外壳：
封装：SP3F
料号：JTG10-3708
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCC60VRM99CT3AG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "3709"
["pdf_add"]=>
string(90) "https://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/1244782-mscsm120am31ct1ag-datasheet"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(17) "MSCSM120AM31CT1AG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(10) "917.650000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(23) "PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(22) "2 N 沟道（相角）"
["fetgn"]=>
string(18) "碳化硅（SiC）"
["ldjdy"]=>
string(16) "1200V（1.2kV）"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "89A（Tc）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(21) "31 毫欧 @ 40A，20V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.8V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "232nC @ 20V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(14) "3020pF @ 1000V"
["gn_zdz"]=>
string(12) "395W（Tc）"
["gzwd"]=>
string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(12) "底座安装"
["fz_wk"]=>
string(6) "模块"
["gysqjfz"]=>
string(4) "SP1F"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "0"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906484"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： MSCSM120AM31CT1AG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM31CT1AG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM31CT1AG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA，2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V，200pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V *功率 - 最大值:245W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极（id）:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V *功率 - 最大值:365W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V *功率 - 最大值:395W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签:
|
fet 类型：2 N 沟道（相角）
fet 功能：碳化硅（SiC）
漏源极电压（vdss）：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（id）：89A（Tc）
功率 - 最大值：395W（Tc）
|
丝印：
外壳：
封装：SP1F
料号：JTG10-3709
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM31CT1AG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "3713"
["pdf_add"]=>
string(88) "https://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/1244941-mscsm70vm19c3ag-datasheet"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(15) "MSCSM70VM19C3AG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "1.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(23) "PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(22) "2 N 沟道（相角）"
["fetgn"]=>
string(18) "碳化硅（SiC）"
["ldjdy"]=>
string(4) "700V"
["dl_lxlj"]=>
string(12) "124A（Tc）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(21) "19 毫欧 @ 40A，20V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.4V @ 4mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "215nC @ 20V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(13) "4500pF @ 700V"
["gn_zdz"]=>
string(12) "365W（Tc）"
["gzwd"]=>
string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(12) "底座安装"
["fz_wk"]=>
string(6) "模块"
["gysqjfz"]=>
string(4) "SP3F"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906496"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： MSCSM70VM19C3AG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70VM19C3AG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70VM19C3AG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA，2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V，200pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V *功率 - 最大值:245W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极（id）:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V *功率 - 最大值:365W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V *功率 - 最大值:395W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极（id）:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V *功率 - 最大值:365W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签:
|
fet 类型：2 N 沟道（相角）
fet 功能：碳化硅（SiC）
漏源极电压（vdss）：700V
电流 - 连续漏极（id）：124A（Tc）
功率 - 最大值：365W（Tc）
|
丝印：
外壳：
封装：SP3F
料号：JTG10-3713
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70VM19C3AG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
array(62) {
["id"]=>
string(4) "3715"
["pdf_add"]=>
string(90) "https://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/1244789-mscsm120hm50ct3ag-datasheet"
["images_sw"]=>
string(1) " "
["images_mk"]=>
NULL
["images"]=>
string(33) "/wcsstore/CN/images/pna-zh-cn.jpg"
["ljbh"]=>
string(0) ""
["zzsbh"]=>
string(17) "MSCSM120HM50CT3AG"
["zddgs"]=>
string(1) "1"
["xysl"]=>
string(1) "1"
["cfkc"]=>
string(1) "0"
["dj"]=>
string(8) "1.000000"
["gys_id"]=>
string(1) " "
["num"]=>
string(1) " "
["price_addtime"]=>
string(1) "0"
["ms"]=>
string(23) "PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F"
["xl"]=>
string(1) "-"
["zzs"]=>
string(20) "Microchip Technology"
["fetlx"]=>
string(14) "4 个 N 通道"
["fetgn"]=>
string(18) "碳化硅（SiC）"
["ldjdy"]=>
string(16) "1200V（1.2kV）"
["dl_lxlj"]=>
string(11) "55A（Tc）"
["bt_id_vgs_rds"]=>
string(22) "50 毫欧 @ 40A，20V"
["bt_id_vgs_zdz"]=>
string(10) "2.7V @ 1mA"
["bt_vgs_sjdh"]=>
string(11) "137nC @ 20V"
["bt_vds_srdr"]=>
string(14) "1990pF @ 1000V"
["gn_zdz"]=>
string(12) "245W（Tc）"
["gzwd"]=>
string(23) "-40°C ~ 175°C（TJ）"
["azlx"]=>
string(12) "底座安装"
["fz_wk"]=>
string(6) "模块"
["gysqjfz"]=>
string(4) "SP3F"
["tag"]=>
string(1) " "
["bz"]=>
string(0) ""
["spq"]=>
NULL
["is_rohs"]=>
string(1) "1"
["gl_zz"]=>
string(0) ""
["gl_pin"]=>
string(0) ""
["gl_jz"]=>
string(1) " "
["gl_dm"]=>
string(1) " "
["gl_dmtp"]=>
string(0) ""
["symbol"]=>
string(0) ""
["gl_vdd"]=>
NULL
["gl_gnd"]=>
NULL
["gl_bdm"]=>
string(1) "0"
["gl_bdmsm"]=>
NULL
["gl_kbc"]=>
string(1) "0"
["gl_dmgx"]=>
string(1) "0"
["pcbfzk_id"]=>
string(0) ""
["pcbfzk"]=>
string(1) " "
["ljzt"]=>
string(6) "在售"
["jyid"]=>
string(1) " "
["cat_id"]=>
string(3) "131"
["admin_id"]=>
string(1) "0"
["mpn_bm"]=>
string(23) "golon_jtg_fet_mosfet_zl"
["ch_bm"]=>
string(33) "晶体管 - FET，MOSFET - 阵列"
["lock_dm"]=>
string(1) "1"
["is_use_cat_id"]=>
string(1) "0"
["is_new_time"]=>
string(10) "1597906504"
["ms_c"]=>
string(1) " "
["ytfw"]=>
string(1) "-"
["hot_or_top"]=>
string(1) "0"
["yqjtd_pintopin"]=>
string(1) " "
["yqjtd_jianrong"]=>
string(1) " "
}
|
型号： MSCSM120HM50CT3AG复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120HM50CT3AG' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
array(19) {
["count"]=>
string(1) "0"
["gys_id"]=>
NULL
["zzsbh"]=>
NULL
["price"]=>
NULL
["gm_gys_id"]=>
NULL
["num_1"]=>
NULL
["sprice_1"]=>
NULL
["num_2"]=>
NULL
["sprice_2"]=>
NULL
["num_3"]=>
NULL
["sprice_3"]=>
NULL
["num_4"]=>
NULL
["sprice_4"]=>
NULL
["num_5"]=>
NULL
["sprice_5"]=>
NULL
["num_6"]=>
NULL
["sprice_6"]=>
NULL
["num_7"]=>
NULL
["sprice_7"]=>
NULL
}
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120HM50CT3AG' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
描述：
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数：
*fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:耗尽模式 *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极（id）:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.04nC @ 1.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:150V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-通道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:240V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:52pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:56pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 欧姆 @ 50mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:55pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:6 N 和 6 P 沟道 *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 个 P 沟道（双） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:300V *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 欧姆 @ 20mA，7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.8pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N-沟道（级联） *fet 功能:标准 *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-25°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:N 和 P 沟道 *fet 功能:逻辑电平门 *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极（id）:2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 欧姆 @ 1A，10V，8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA，2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 25V，200pF @ 25V *功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V *功率 - 最大值:245W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极（id）:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V *功率 - 最大值:365W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:- *fet 功能:- *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极（id）:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V *功率 - 最大值:395W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:2 N 沟道（相角） *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:700V *电流 - 连续漏极（id）:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V *功率 - 最大值:365W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签: *fet 类型:4 个 N 通道 *fet 功能:碳化硅（SiC） *漏源极电压（vdss）:1200V（1.2kV） *电流 - 连续漏极（id）:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V *功率 - 最大值:245W（Tc） 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 标签:
|
fet 类型：4 个 N 通道
fet 功能：碳化硅（SiC）
漏源极电压（vdss）：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（id）：55A（Tc）
功率 - 最大值：245W（Tc）
|
丝印：
外壳：
封装：SP3F
料号：JTG10-3715
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM50CT3AG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
|
|
