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XBLW芯伯乐 芯伯乐

XBLW芯伯乐

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    晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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外壳：
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连续漏极(id):30A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:951pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:23W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):30A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):22.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:951pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:23W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):25A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.5W（Ta），21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):25A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:23 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.5W（Ta），21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):40A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2550pF @ 20V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.5W（Ta），62.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):40A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2550pF @ 20V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.5W（Ta），62.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
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