首页 >> 所有制造商 >> IXYS

IXYS Integrated Circuits Division Littelfuse(力特)

IXYS

官网

    晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
array(65) { ["id"]=> string(4) "8006" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3701.pdf/$file/CPC3701.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(13) "CPC3701CTR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3701CTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "MOSFET N-CH 60V SOT89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(3) "60V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "1 欧姆 @ 300mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(5) "±15V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.1W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3701CTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3701CTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3701CTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 60V SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-8006
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3701CTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
咨询客服
array(65) { ["id"]=> string(4) "8144" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3708.pdf/$file/CPC3708.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(55) "//media.digikey.com/Photos/IXYS%20Photos/CPC3708CTR.JPG" ["images"]=> string(75) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/IXYS_Photos/CPC3708CTR.JPG" ["ljbh"]=> string(12) "CLA4144TR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3708CTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(30) "MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "350V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "5mA（Ta）" ["qddy"]=> string(6) "-0.35V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(24) "14 欧姆 @ 50mA，350mV" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "300pF @ 0V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.1W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 110°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(6) "SOT-89" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-243AA" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3708CTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3708CTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3708CTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：350V
电流 - 连续漏极(id)：5mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：TO-243AA
料号：JTG8-8144
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3708CTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
咨询客服
array(65) { ["id"]=> string(4) "8147" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3708.pdf/$file/CPC3708.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(58) "//media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT223-3L.jpg" ["images"]=> string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Diodes_Renders/SOT223-3L.jpg" ["ljbh"]=> string(12) "CLA4145TR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3708ZTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(31) "MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "350V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "5mA（Ta）" ["qddy"]=> string(6) "-0.35V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(24) "14 欧姆 @ 50mA，350mV" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "300pF @ 0V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "2.5W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 110°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-261-4，TO-261AA" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-223" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3708ZTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3708ZTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3708ZTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：350V
电流 - 连续漏极(id)：5mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：2.5W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-8147
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3708ZTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
咨询客服
array(65) { ["id"]=> string(4) "8150" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3703.pdf/$file/CPC3703.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(13) "CPC3703ZTR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3703ZTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.320000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(23) "MOSFET N-CH 250V SOT-89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(33) "MOSFET N 通道，金属氧化物" ["js"]=> string(0) "" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(0) "" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "4 欧姆 @ 200mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(0) "" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(4) "1.1W" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(12) "表面贴装" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(14) "带卷（TR）" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3703ZTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3703ZTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3703ZTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 250V SOT-89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装
替代：
fet 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.1W
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-8150
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3703ZTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(4) "8926" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3710.pdf/$file/CPC3710.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(13) "CPC3710CTR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3710CTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(22) "MOSFET N-CH 250V SOT89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "10 欧姆 @ 220mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.4W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3710CTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3710CTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3710CTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 250V SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-8926
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3710CTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "15331" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3701.pdf/$file/CPC3701.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(11) "CPC3701C-ND" ["zzsbh"]=> string(8) "CPC3701C" ["zddgs"]=> string(3) "200" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(21) "MOSFET N-CH 60V SOT89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(3) "60V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "1 欧姆 @ 300mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(5) "±15V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.1W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3701C复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3701C' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3701C' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 60V SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：60V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-15331
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3701C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "15332" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3710.pdf/$file/CPC3710.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(11) "CPC3710C-ND" ["zzsbh"]=> string(8) "CPC3710C" ["zddgs"]=> string(3) "200" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(22) "MOSFET N-CH 250V SOT89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "10 欧姆 @ 220mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.4W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3710C复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3710C' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3710C' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 250V SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-15332
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3710C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "15333" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3714.pdf/$file/CPC3714.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(11) "CPC3714C-ND" ["zzsbh"]=> string(8) "CPC3714C" ["zddgs"]=> string(3) "200" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(22) "MOSFET N-CH 350V SOT89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "350V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "14 欧姆 @ 240mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "100pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.4W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3714C复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3714C' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3714C' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 350V SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：350V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-15333
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3714C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "15334" ["pdf_add"]=> string(62) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/IXYS%20PDFs/CPC3720C.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(11) "CPC3720C-ND" ["zzsbh"]=> string(8) "CPC3720C" ["zddgs"]=> string(3) "200" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(22) "MOSFET N-CH 350V SOT89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "350V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "22 欧姆 @ 130mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.4W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3720C复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3720C' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3720C' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 350V SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：350V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.4W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-15334
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3720C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "15335" ["pdf_add"]=> string(62) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/IXYS%20PDFs/CPC3730C.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(1) "-" ["images"]=> string(1) " " ["ljbh"]=> string(11) "CPC3730C-ND" ["zzsbh"]=> string(8) "CPC3730C" ["zddgs"]=> string(3) "200" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(22) "MOSFET N-CH 350V SOT89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "350V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "35 欧姆 @ 140mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "200pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.6W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-89" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3730C复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3730C' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3730C' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 350V SOT89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：350V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.6W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89
料号：JTG8-15335
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3730C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "17742" ["pdf_add"]=> string(63) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Clare%20PDFs/CPC3703C.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(56) "//media.digikey.com/Photos/Clare%20Photos/CPC3703CTR.jpg" ["images"]=> string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Clare_Photos/CPC3703CTR.jpg" ["ljbh"]=> string(11) "CPC3703C-ND" ["zzsbh"]=> string(8) "CPC3703C" ["zddgs"]=> string(3) "100" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "360mA（Ta）" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "4 欧姆 @ 200mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.6W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(8) "SOT-89-3" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "0" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3703C复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3703C' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3703C' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：360mA（Ta）
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.6W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89-3
料号：JTG8-17742
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3703C' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "20668" ["pdf_add"]=> string(61) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/IXYS%20PDFs/CPC3909.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/Renders/IXYS%20Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/IXYS_Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["ljbh"]=> string(12) "CLA4157-2-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3909ZTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "MOSFET N-CH 400V SOT-223" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "400V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "300mA（Ta）" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "9 欧姆 @ 300mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(3) "15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(3) "15V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "2.5W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 110°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-261-4，TO-261AA" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-223" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3909ZTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3909ZTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3909ZTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 400V SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：400V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：2.5W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-20668
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3909ZTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "20674" ["pdf_add"]=> string(61) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/IXYS%20PDFs/CPC3909.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/Renders/IXYS%20Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/IXYS_Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["ljbh"]=> string(12) "CLA4161-2-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3909CTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(1) "0" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(23) "MOSFET N-CH 400V SOT-89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "400V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "300mA（Ta）" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "9 欧姆 @ 300mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(3) "15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(3) "15V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.1W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-40°C ~ 110°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(6) "SOT-89" ["gysqjfz"]=> string(8) "TO-243AA" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3909CTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3909CTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3909CTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 400V SOT-89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：400V
电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta）
Vgs(最大值)：15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：TO-243AA
料号：JTG8-20674
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3909CTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "26186" ["pdf_add"]=> string(61) "//media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/IXYS%20PDFs/CPC3982.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(71) "//media.digikey.com/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-23-3%20PKG.jpg" ["images"]=> string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/Uploads/Pcbfzk/Packjpg/3-SO-2.92-1.3-0.96.jpg" ["ljbh"]=> string(12) "CLA4160-2-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3982TTR" ["zddgs"]=> string(4) "3000" ["xysl"]=> string(4) "6000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(23) "MOSFET N-CH 800V SOT-23" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "800V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "380 欧姆 @ 20mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "20pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(13) "400mW（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 110°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(27) "TO-236-3，SC-59，SOT-23-3" ["gysqjfz"]=> string(6) "SOT-23" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(3) "804" ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3982TTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3982TTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3982TTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 800V SOT-23
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:380 欧姆 @ 20mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：800V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：400mW（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-26186
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3982TTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "26523" ["pdf_add"]=> string(88) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/0/B6BA0194695DEB9D85256DB00069D26D/$file/CPC3703.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(56) "//media.digikey.com/Photos/Clare%20Photos/CPC3703CTR.jpg" ["images"]=> string(76) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Photos/Clare_Photos/CPC3703CTR.jpg" ["ljbh"]=> string(13) "CPC3703CTR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3703CTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(5) "53000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(29) "MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(13) "360mA（Ta）" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(21) "4 欧姆 @ 200mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "350pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.1W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(8) "TO-243AA" ["gysqjfz"]=> string(8) "SOT-89-3" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "3" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3703CTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3703CTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3703CTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:380 欧姆 @ 20mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：360mA（Ta）
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.1W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-89-3
料号：JTG8-26523
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3703CTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "26697" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3980.pdf/$file/CPC3980.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/Renders/IXYS%20Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/IXYS_Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["ljbh"]=> string(12) "CLA4159-2-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3980ZTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(5) "21000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "MOSFET N-CH 800V SOT-223" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "800V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "45 欧姆 @ 100mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "115pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.8W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-261-4，TO-261AA" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-223" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3980ZTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3980ZTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3980ZTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 800V SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:380 欧姆 @ 20mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 100mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：800V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.8W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-26697
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3980ZTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "27762" ["pdf_add"]=> string(88) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/0/A4B1223B0A16823385256A630050529A/$file/CPC5602.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(58) "//media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT223-3L.jpg" ["images"]=> string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Diodes_Renders/SOT223-3L.jpg" ["ljbh"]=> string(11) "CLA298TR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC5602CTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(4) "8000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(28) "MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "350V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "5mA（Ta）" ["qddy"]=> string(6) "-0.35V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(24) "14 欧姆 @ 50mA，350mV" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "300pF @ 0V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "2.5W（Ta）" ["gzwd"]=> string(22) "-40°C ~ 85°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-261-4，TO-261AA" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-223" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC5602CTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC5602CTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC5602CTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:380 欧姆 @ 20mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 100mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：350V
电流 - 连续漏极(id)：5mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：2.5W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-27762
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC5602CTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "38559" ["pdf_add"]=> string(88) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/0/FBC0E307575FE5F085256F5600540075/$file/CPC5603.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(58) "//media.digikey.com/Renders/Diodes%20Renders/SOT223-3L.jpg" ["images"]=> string(78) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/Diodes_Renders/SOT223-3L.jpg" ["ljbh"]=> string(11) "CLA299TR-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC5603CTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(4) "1000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(28) "MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "415V" ["dl_lxlj"]=> string(11) "5mA（Ta）" ["qddy"]=> string(6) "-0.35V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(24) "14 欧姆 @ 50mA，350mV" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±20V" ["bt_vds_srdr"]=> string(10) "300pF @ 0V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "2.5W（Ta）" ["gzwd"]=> string(22) "-40°C ~ 85°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-261-4，TO-261AA" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-223" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC5603CTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC5603CTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC5603CTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:380 欧姆 @ 20mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 100mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:415V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：415V
电流 - 连续漏极(id)：5mA（Ta）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：2.5W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-38559
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC5603CTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "39010" ["pdf_add"]=> string(69) "http://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3960.pdf/$file/CPC3960.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> string(61) "//media.digikey.com/Renders/IXYS%20Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["images"]=> string(81) "https://www.chenkeiot.com/Public/imagesmk/Renders/IXYS_Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["ljbh"]=> string(12) "CLA4158-2-ND" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3960ZTR" ["zddgs"]=> string(4) "1000" ["xysl"]=> string(4) "1000" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "MOSFET N-CH 600V SOT-223" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "600V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(22) "44 欧姆 @ 100mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "100pF @ 25V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.8W（Ta）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 125°C（TJ）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-261-4，TO-261AA" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-223" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> string(1) " " ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(1) "2" ["gl_pin"]=> string(1) "4" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(0) "" ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> string(1) "-" ["gl_gnd"]=> string(1) "-" ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> string(0) "" ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> string(1) " " ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(1) "0" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3960ZTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3960ZTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3960ZTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 600V SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:380 欧姆 @ 20mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 100mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:415V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:44 欧姆 @ 100mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：600V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.8W（Ta）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-39010
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3960ZTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
array(65) { ["id"]=> string(5) "48640" ["pdf_add"]=> string(70) "https://www.ixysic.com/home/pdfs.nsf/www/CPC3902.pdf/$file/CPC3902.pdf" ["images_sw"]=> string(1) " " ["images_mk"]=> NULL ["images"]=> string(61) "//media.digikey.com/Renders/IXYS%20Renders/MFG_CPC3980ZTR.jpg" ["ljbh"]=> string(0) "" ["zzsbh"]=> string(10) "CPC3902ZTR" ["zddgs"]=> string(1) "1" ["xysl"]=> string(1) "1" ["cfkc"]=> string(1) "0" ["dj"]=> string(8) "0.000000" ["gys_id"]=> string(1) " " ["num"]=> string(1) " " ["price_addtime"]=> string(1) "0" ["ms"]=> string(24) "MOSFET N-CH 250V SOT-223" ["xl"]=> string(1) "-" ["zzs"]=> string(33) "IXYS Integrated Circuits Division" ["fetlx"]=> string(8) "N 通道" ["js"]=> string(27) "MOSFET（金属氧化物）" ["ldjdy"]=> string(4) "250V" ["dl_lxlj"]=> string(1) "-" ["qddy"]=> string(2) "0V" ["bt_id_vgs_rds"]=> string(23) "2.5 欧姆 @ 300mA，0V" ["bt_id_vgs_zdz"]=> string(1) "-" ["bt_vgs_sjdh"]=> string(1) "-" ["vgs_zdz"]=> string(5) "±15V" ["bt_vds_srdr"]=> string(11) "230pF @ 20V" ["fetgn"]=> string(12) "耗尽模式" ["gn_zdz"]=> string(12) "1.8W（Tc）" ["gzwd"]=> string(23) "-55°C ~ 110°C（TA）" ["azlx"]=> string(15) "表面贴装型" ["fz_wk"]=> string(19) "TO-261-4，TO-261AA" ["gysqjfz"]=> string(7) "SOT-223" ["tag"]=> string(1) " " ["bz"]=> string(0) "" ["spq"]=> NULL ["is_rohs"]=> string(1) "1" ["gl_zz"]=> string(0) "" ["gl_pin"]=> string(0) "" ["gl_jz"]=> string(1) " " ["gl_dm"]=> string(1) " " ["gl_dmtp"]=> string(0) "" ["symbol"]=> string(0) "" ["gl_vdd"]=> NULL ["gl_gnd"]=> NULL ["gl_bdm"]=> string(1) "0" ["gl_bdmsm"]=> NULL ["gl_kbc"]=> string(1) "0" ["gl_dmgx"]=> string(1) "0" ["pcbfzk_id"]=> string(0) "" ["pcbfzk"]=> string(1) " " ["ljzt"]=> string(6) "在售" ["jyid"]=> NULL ["cat_id"]=> string(3) "129" ["admin_id"]=> string(1) "0" ["mpn_bm"]=> string(22) "golon_jtg_fet_mosfet_d" ["ch_bm"]=> string(30) "晶体管 - FET，MOSFET - 单" ["lock_dm"]=> string(1) "1" ["is_use_cat_id"]=> string(1) "0" ["is_new_time"]=> string(10) "1607931272" ["ms_c"]=> string(1) " " ["ytfw"]=> string(1) "-" ["hot_or_top"]=> string(1) "0" ["yqjtd_pintopin"]=> string(1) " " ["yqjtd_jianrong"]=> string(1) " " }
状态： 在售
型号： CPC3902ZTR复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3902ZTR' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPC3902ZTR' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： IXYS Integrated Circuits Division复制 IXYS Littelfuse(力特)
描述： MOSFET N-CH 250V SOT-223
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 技术: *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:10 欧姆 @ 220mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 240mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:22 欧姆 @ 130mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.4W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:35 欧姆 @ 140mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.6W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:400V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:9 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:15V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:380 欧姆 @ 20mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:400mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):360mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:800V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:45 欧姆 @ 100mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:350V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:415V *电流 - 连续漏极(id):5mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-0.35V 不同id,vgs 时的rds on:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 0V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:2.5W（Ta） 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:44 欧姆 @ 100mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 300mA，0V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±15V 不同vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 20V *fet 功能:耗尽模式 *功率 - 最大值:1.8W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：250V
电流 - 连续漏极(id)：-
Vgs(最大值)：±15V
fet 功能：耗尽模式
功率 - 最大值：1.8W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：SOT-223
料号：JTG8-48640
包装：
参考价格:￥0.361600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPC3902ZTR' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
  共有23个记录    每页显示20条，本页1-20条    1/2页   1  2   下一页    尾 页      

辰科物联

https://www.chenkeiot.com/

已成功加入购物车！
去购物车结算 继续采购
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

在线客服

LiFeng:2355289363

Hailee:2355289368

微信咨询
扫描即可免费关注公众号

服务热线

0755-28435922