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Taiwan Semiconductor Corporation 台湾半导体

Taiwan Semiconductor

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    晶体管 - FET，MOSFET - 单 [清除]
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封装：TO-252，（D-Pak）
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外壳：
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET N-CH 600V 11A ITO220S
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描述： MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
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包装：
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描述： MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
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封装：SOT-23
料号：JTG8-46468
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参考价格:￥8.215100
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描述： MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-46470
包装：
参考价格:￥8.215100
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现货库存:0
可供数量:咨询
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
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丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-46473
包装：
参考价格:￥8.215100
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：SOT-26
料号：JTG8-46479
包装：
参考价格:￥8.215100
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1040pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):39A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.7 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:33W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:33 毫欧 @ 4.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:750mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):17A（Ta），90A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2294pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:33 毫欧 @ 4.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.25W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):54A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2116pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:69W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:810pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:62.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.4nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:300mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):3A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:85 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:529pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.7W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.1A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.1nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.56W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:425pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.56W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):3.9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 3.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 20V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.25W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.8nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:587pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
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丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-46482
包装：
参考价格:￥8.215100
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
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外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-46483
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
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替代：
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外壳：
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料号：JTG8-46492
包装：
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1040pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):39A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.7 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:33W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:33 毫欧 @ 4.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:750mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 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替代：
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丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-46493
包装：
参考价格:￥8.215100
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品牌： Taiwan Semiconductor Corporation复制 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1040pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:125W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):39A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:11.7 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:33W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:33 毫欧 @ 4.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11.2nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:750mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):17A（Ta），90A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:5.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):41nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2294pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3.1W（Ta），83W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:33 毫欧 @ 4.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.25W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):54A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:12 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):36.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2116pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:69W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):11A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:810pF @ 100V *fet 功能:- *功率 - 最大值:62.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):4A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 300mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.4nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:300mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):3A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:85 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:529pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.7W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.1A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.1nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.56W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8.2nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:425pF @ 30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.56W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:40V *电流 - 连续漏极(id):3.9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:45 毫欧 @ 3.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 20V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.25W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):4.7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:60 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):3.9A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:65 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.8nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:587pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.5W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:60V *电流 - 连续漏极(id):3A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:156 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.3nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:511pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.25W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:33 毫欧 @ 5.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):8.8nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.7nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:535pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.56W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:P 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:20V *电流 - 连续漏极(id):2.8A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:130 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:700mW（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):6.5A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 4.5V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:1.56W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：30V
电流 - 连续漏极(id)：6.5A（Tc）
Vgs(最大值)：±20V
fet 功能：-
功率 - 最大值：1.56W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：JTG8-46494
包装：
参考价格:￥8.215100
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM240N03CX RFG' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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