CREE公司介绍和产品目录_Cree/Wolfspeed_科锐专区_授权代理商

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状态：在售型号： C3M0065090J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Tc） Vgs(最大值)：+19V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：113W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-1038 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： C2M1000170J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：5.3A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：78W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-1760 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0045170D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：520W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-6325 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M1000170J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：5.3A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：78W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK（7-Lead）料号：JTG8-9832 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： E3M0280090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：54W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-48594 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0280090J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 11A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：50W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-21568 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0280090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 11.5A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：54W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-21578 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0280090J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 11A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：50W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-21595 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0120090J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 22A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：22A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：83W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-21720 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0120090J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 22A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：22A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：83W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-24609 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M1000170D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：4.9A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：69W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28566 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0280120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：10A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：62.5W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28572 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0120090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:97W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：23A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：97W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28589 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0160120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:97W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32.6nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:527pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：19A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：125W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28603 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0065090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:97W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32.6nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:527pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30.4nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：36A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：125W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28618 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0065090J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 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最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Tc） Vgs(最大值)：+19V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：113W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-28624 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0080120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： CMF10120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 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状态：在售型号： CMF20120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 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最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62nC @ 5V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:220 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):47.1nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-5V 不同vds 时的输入电容（ciss）:928pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:134W（Tc）工作温度:-55°C ~ 135°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.8nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-5V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1915pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： C2M0040120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 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最大值:215W（Tc）工作温度:-55°C ~ 135°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:52 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1893pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：330W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28694 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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状态：在售型号： C3M0065090J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Tc） Vgs(最大值)：+19V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：113W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-1038 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： C2M1000170J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：5.3A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：78W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-1760 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0045170D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：520W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-6325 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M1000170J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：5.3A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：78W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK（7-Lead）料号：JTG8-9832 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： E3M0280090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：54W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-48594 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0280090J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 11A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：50W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-21568 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0280090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 11.5A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：54W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-21578 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0280090J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 11A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：11A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：50W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-21595 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0120090J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 22A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：22A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：83W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-21720 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0120090J-TR复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 22A 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：22A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：83W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-24609 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M1000170D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1700V 电流 - 连续漏极(id)：4.9A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：69W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28566 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0280120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：10A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：62.5W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28572 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0120090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:97W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：23A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：97W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28589 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0160120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:97W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32.6nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:527pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：19A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：125W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28603 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0065090D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:97W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32.6nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:527pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30.4nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：36A（Tc） Vgs(最大值)：+18V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：125W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28618 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C3M0065090J复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 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最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：900V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Tc） Vgs(最大值)：+19V，-8V fet 功能：- 功率 - 最大值：113W（Tc）	丝印：外壳：封装：D2PAK-7 料号：JTG8-28624 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： C2M0080120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： CMF10120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 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状态：在售型号： CMF20120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 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最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62nC @ 5V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:220 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):47.1nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-5V 不同vds 时的输入电容（ciss）:928pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:134W（Tc）工作温度:-55°C ~ 135°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.8nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-5V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1915pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： C2M0040120D复制品牌： Cree/Wolfspeed复制 CREE 科锐描述： MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 参数： fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):188nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3672pF @ 1kV fet 功能:- 功率 - 最大值:520W（Tc）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):5.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.1V @ 500µA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:78W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:54W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):11A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.5nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:50W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):22A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:83W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1700V 电流 - 连续漏极(id):4.9A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:191pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:69W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):10A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA（标准）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):20.4nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:62.5W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):23A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.3nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:97W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):19A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):32.6nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:527pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30.4nC @ 15V Vgs(最大值):+18V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:125W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:900V 电流 - 连续漏极(id):35A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同id,vgs 时的rds on:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 15V Vgs(最大值):+19V，-8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 600V fet 功能:- 功率 - 最大值:113W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):36A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):62nC @ 5V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:192W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):24A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:220 毫欧 @ 10A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):47.1nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-5V 不同vds 时的输入电容（ciss）:928pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:134W（Tc）工作温度:-55°C ~ 135°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):42A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:110 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):90.8nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-5V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1915pF @ 800V fet 功能:- 功率 - 最大值:215W（Tc）工作温度:-55°C ~ 135°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:SiCFET（碳化硅）漏源极电压（vdss）:1200V 电流 - 连续漏极(id):60A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:52 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.8V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 20V Vgs(最大值):+25V，-10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1893pF @ 1000V fet 功能:- 功率 - 最大值:330W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：1200V 电流 - 连续漏极(id)：60A（Tc） Vgs(最大值)：+25V，-10V fet 功能：- 功率 - 最大值：330W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247-3 料号：JTG8-28694 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥45.448600	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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