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商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： 2N7002K-T1-E3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-136 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： SI2301CDS-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：3.1A（Tc） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：860mW（Ta），1.6W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-289 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:34K+ 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2301CDS-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：3.1A（Tc） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：860mW（Ta），1.6W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-298 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2302CDS-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：2.6A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：710mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-322 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2301BDS-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：2.2A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：700mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-352 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TP0610K-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：185mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-367 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1032R-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：140mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：250mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SC-75A 料号：JTG8-427 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2356DS-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：4.3A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：960mW（Ta），1.7W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：TO-236 料号：JTG8-457 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1013R-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：350mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：150mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SC-75A 料号：JTG8-469 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1012X-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：500mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：250mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SC-89-3/SOT-523(1.65X0.85MM) 料号：JTG8-472 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1012R-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：500mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：150mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SC-75A 料号：JTG8-475 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1308EDL-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：1.4A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：400mW（Ta），500mW（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-323 料号：JTG8-484 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2305CDS-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(2)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：8V 电流 - 连续漏极(id)：5.8A（Tc） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：960mW（Ta），1.7W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-490 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2318CDS-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：5.6A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.25W（Ta），2.1W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-496 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： VS-FA72SA50LC复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1136W（Tc）	丝印：外壳：封装：SOT-227 料号：JTG8-505 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2N6661复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：90V 电流 - 连续漏极(id)：860mA（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：725mW（Ta），6.25W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-39 料号：JTG8-572 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2N6661-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：90V 电流 - 连续漏极(id)：860mA（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：725mW（Ta），6.25W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-39 料号：JTG8-573 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： VS-FC220SA20复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 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连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):220A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):350nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:789W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：220A（Tc） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：789W（Tc）	丝印：外壳：封装：SOT-227 料号：JTG8-576 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 3N163-2复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):220A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):350nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:789W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:250 欧姆 @ 100µA，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5V @ 10µA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:375mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：50mA（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：375mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TO-72 料号：JTG8-644 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： VP0300B-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):220A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):350nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:789W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:250 欧姆 @ 100µA，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5V @ 10µA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:375mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):320mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):320mA（Ta）不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):4.5V @ 1mA 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：320mA（Ta） Vgs(最大值)：4.5V @ 1mA fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：- 料号：JTG8-651 包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： 2N7002K-T1-E3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：300mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-136 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： SI2301CDS-T1-GE3复制品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：3.1A（Tc） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：860mW（Ta），1.6W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-289 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:34K+ 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2301CDS-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：3.1A（Tc） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：860mW（Ta），1.6W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-298 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2302CDS-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：2.6A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：710mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-322 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2301BDS-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：2.2A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：700mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-352 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TP0610K-T1-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：60V 电流 - 连续漏极(id)：185mA（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：350mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-367 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1032R-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：140mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：250mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SC-75A 料号：JTG8-427 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2356DS-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：4.3A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：960mW（Ta），1.7W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：TO-236 料号：JTG8-457 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1013R-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：350mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：150mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SC-75A 料号：JTG8-469 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1012X-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：500mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：250mW（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SC-89-3/SOT-523(1.65X0.85MM) 料号：JTG8-472 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1012R-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：500mA（Ta） Vgs(最大值)：±6V fet 功能：- 功率 - 最大值：150mW（Ta）	丝印：外壳：封装：SC-75A 料号：JTG8-475 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI1308EDL-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：1.4A（Tc） Vgs(最大值)：±12V fet 功能：- 功率 - 最大值：400mW（Ta），500mW（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-323 料号：JTG8-484 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2305CDS-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(2)	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：8V 电流 - 连续漏极(id)：5.8A（Tc） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：960mW（Ta），1.7W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-490 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： SI2318CDS-T1-GE3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：替代：辰科物联替代数据(1)	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：5.6A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1.25W（Ta），2.1W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23-3（TO-236）料号：JTG8-496 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： VS-FA72SA50LC复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：72A（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：1136W（Tc）	丝印：外壳：封装：SOT-227 料号：JTG8-505 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2N6661复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：90V 电流 - 连续漏极(id)：860mA（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：725mW（Ta），6.25W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-39 料号：JTG8-572 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 2N6661-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：90V 电流 - 连续漏极(id)：860mA（Tc） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：725mW（Ta），6.25W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-39 料号：JTG8-573 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： VS-FC220SA20复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 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连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):220A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):350nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:789W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：200V 电流 - 连续漏极(id)：220A（Tc） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：789W（Tc）	丝印：外壳：封装：SOT-227 料号：JTG8-576 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 3N163-2复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):220A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):350nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:789W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:250 欧姆 @ 100µA，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5V @ 10µA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:375mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：40V 电流 - 连续漏极(id)：50mA（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：375mW（Ta）	丝印：外壳：封装：TO-72 料号：JTG8-644 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： VP0300B-E3复制 bool(false) 品牌： Vishay复制 Vishay 威世描述： MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205 参数： fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):300mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):3.1A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:112 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:860mW（Ta），1.6W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±8V fet 功能:- 功率 - 最大值:710mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):2.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:100 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:375pF @ 6V fet 功能:- 功率 - 最大值:700mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:60V 电流 - 连续漏极(id):185mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.7nC @ 15V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:23pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:350mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):140mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:5 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):4.3A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:51 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:370pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):350mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA（最小）不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:250mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):500mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:700 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):.75nC @ 4.5V Vgs(最大值):±6V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±6V fet 功能:- 功率 - 最大值:150mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):1.4A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:132 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.1nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同vds 时的输入电容（ciss）:105pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:400mW（Ta），500mW（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:8V 电流 - 连续漏极(id):5.8A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:35 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 4V fet 功能:- 功率 - 最大值:960mW（Ta），1.7W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):5.6A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:42 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 20V fet 功能:- 功率 - 最大值:1.25W（Ta），2.1W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):72A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:80 毫欧 @ 34A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):338nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:10000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:1136W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:90V 电流 - 连续漏极(id):860mA（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:4 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:200V 电流 - 连续漏极(id):220A（Tc）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:7 毫欧 @ 150A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5.1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):350nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:21000pF @ 50V fet 功能:- 功率 - 最大值:789W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:40V 电流 - 连续漏极(id):50mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V 不同id,vgs 时的rds on:250 欧姆 @ 100µA，20V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5V @ 10µA Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:375mW（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:30V 电流 - 连续漏极(id):320mA（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):320mA（Ta）不同id,vgs 时的rds on:2.5 欧姆 @ 1A，12V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.5V @ 1mA Vgs(最大值):4.5V @ 1mA 不同vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 15V fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：30V 电流 - 连续漏极(id)：320mA（Ta） Vgs(最大值)：4.5V @ 1mA fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：- 料号：JTG8-651 包装：	参考价格:￥0.528874	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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