STMicroelectronics 意法半导体

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    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 [清除]
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丝印:
外壳:
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
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外壳:
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包装:
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
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丝印:
外壳:
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
描述: TRANS NPN 60V 5A TO-92
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
描述: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
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参数: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 2A,1V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 100mA,2V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):65V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):380mV @ 300mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 20mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3 @ 200mA,2V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1.5A,6A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):4.5 @ 6A,5V *功率 - 最大值:58W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):450mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):750 @ 1.5A,3V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,1V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):16A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2.5V @ 40mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 10A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 2A,4.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:7MHz 安装类型:底座安装 工作温度:175°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 2A,2V *功率 - 最大值:870mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):140V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 700mA,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 3A,4V *功率 - 最大值:100W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 6A,30A 电流 - 集电极截止(最大值):10mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):15 @ 15A,4V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:200kHz 安装类型:底座安装 工作温度:- 每包数量: 标签:
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外壳:
封装:TO-3
料号:JTG1-352
包装:
参考价格:15.096800
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
描述: TRANS NPN 80V 0.5A TO-39
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晶体管类型:NPN
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封装:TO-39
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
描述: TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3
参数: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 2A,1V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 100mA,2V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):65V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):380mV @ 300mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 20mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3 @ 200mA,2V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1.5A,6A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):4.5 @ 6A,5V *功率 - 最大值:58W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):450mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):750 @ 1.5A,3V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,1V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):16A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2.5V @ 40mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 10A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 2A,4.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:7MHz 安装类型:底座安装 工作温度:175°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 2A,2V *功率 - 最大值:870mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):140V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 700mA,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 3A,4V *功率 - 最大值:100W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 6A,30A 电流 - 集电极截止(最大值):10mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):15 @ 15A,4V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:200kHz 安装类型:底座安装 工作温度:- 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,10V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:通孔 工作温度:175°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 50mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签:
替代:
晶体管类型:PNP - 达林顿
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丝印:
外壳:
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料号:JTG1-702
包装:
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
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参数: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 2A,1V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 100mA,2V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):65V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):380mV @ 300mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 20mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3 @ 200mA,2V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1.5A,6A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):4.5 @ 6A,5V *功率 - 最大值:58W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):450mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):750 @ 1.5A,3V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,1V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):16A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2.5V @ 40mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 10A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 2A,4.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:7MHz 安装类型:底座安装 工作温度:175°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 2A,2V *功率 - 最大值:870mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):140V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 700mA,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 3A,4V *功率 - 最大值:100W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 6A,30A 电流 - 集电极截止(最大值):10mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):15 @ 15A,4V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:200kHz 安装类型:底座安装 工作温度:- 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,10V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:通孔 工作温度:175°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 50mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 50mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签:
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封装:TO-3
料号:JTG1-703
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参考价格:15.096800
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品牌: STMicroelectronics复制 ST 意法半导体
描述: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
参数: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):1µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):60 @ 2A,1V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:85MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):200 @ 100mA,2V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):65V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):380mV @ 300mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:15W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):300mV @ 20mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):3 @ 200mA,2V *功率 - 最大值:1.6W *频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装型 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1.5A,6A 电流 - 集电极截止(最大值):200µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):4.5 @ 6A,5V *功率 - 最大值:58W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):450mV @ 200mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):150 @ 2A,1V *功率 - 最大值:1.1W *频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):750 @ 1.5A,3V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 1A,1V *功率 - 最大值:40W *频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.1V @ 400mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):50µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):20 @ 4A,4V *功率 - 最大值:20W *频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装型 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):16A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):2.5V @ 40mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):3mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 10A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):700V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 2A,4.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):- *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:7MHz 安装类型:底座安装 工作温度:175°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10µA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 2A,2V *功率 - 最大值:870mW *频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):140V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):700mV @ 700mA,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):70 @ 3A,4V *功率 - 最大值:100W *频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):30A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 6A,30A 电流 - 集电极截止(最大值):10mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):15 @ 15A,4V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:200kHz 安装类型:底座安装 工作温度:- 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN *电流 - 集电极(ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):5V @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):40 @ 150mA,10V *功率 - 最大值:800mW *频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:通孔 工作温度:175°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 50mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:NPN - 达林顿 *电流 - 集电极(ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):4V @ 50mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):1000 @ 5A,3V *功率 - 最大值:150W *频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 工作温度:200°C(TJ) 每包数量: 标签: *晶体管类型:PNP *电流 - 集电极(ic)(最大值):600mA 电压 - 集射极击穿(最大值):60V *不同?ib,ic 时的?vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?ic,vce?时的 dc 电流增益(hfe)(最小值):100 @ 150mA,10V *功率 - 最大值:500mW *频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 工作温度:150°C(TJ) 每包数量: 标签:
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