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    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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功率 - 最大值：246mW
丝印：
外壳：
封装：SOT-23-3（TO-236）
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包装：
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功率 - 最大值：246mW
丝印：(请登录)
外壳：
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG2-15679
包装： 3000个/
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功率 - 最大值：200mW
丝印：
外壳：
封装：SC-75，SOT-416
料号：JTG2-15685
包装：
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描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
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品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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频率 - 跃迁：500nA
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丝印：
外壳：
封装：SC-75，SOT-416
料号：JTG2-15687
包装：
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品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签:
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丝印：
外壳：
封装：SC-75，SOT-416
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品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 310MW SC70-3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:202mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：
外壳：
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：JTG2-15690
包装：
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品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:22 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:22 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:4.7 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:4.7 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 1mA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:202mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:500nA *功率 - 最大值:230mW 安装类型:表面贴装型 标签:
替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：
外壳：
封装：SC-59
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包装：
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品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 50 SOT23-3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 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替代：
晶体管类型：NPN - 预偏压
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丝印：(请登录)
外壳：
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料号：JTG2-15746
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品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
参数： *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:NPN - 预偏压 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:47 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA *频率 - 跃迁:- *功率 - 最大值:246mW 安装类型:表面贴装型 标签: *晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管 *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100mA *电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（r1）（欧姆）:10 kOhms 电阻器 - 发射极基底（r2）（欧姆）:10 kOhms *不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）:250mV @ 300µA，10mA 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流 - 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品牌： ON Semiconductor复制 ON 安森美
描述： TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
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电流 - 集电极（ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值）：250mV @ 300µA，10mA
频率 - 跃迁：500nA
功率 - 最大值：246mW
丝印：
外壳：
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：JTG2-15756
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMUN2112LT1G' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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