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GeneSiC Semiconductor

GeneSiC

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    二极管 - 整流器 - 单路 [清除]
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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二极管类型：标准型， 反极性
电流 - 平均整流（io）：12A
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速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 50V
丝印：
外壳：
封装：DO-4
料号：E3-2167
包装：
参考价格:￥35.775800
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可供数量:咨询
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替代：
二极管类型：标准型， 反极性
电流 - 平均整流（io）：12A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 12A
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 50V
丝印：
外壳：
封装：DO-4
料号：E3-2237
包装：
参考价格:￥35.775800
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外壳：
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包装：
参考价格:￥35.775800
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品牌： GeneSiC Semiconductor复制 GeneSiC
描述： DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
参数： *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:
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描述： DIODE GEN PURP 100V 16A DO220AA
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料号：E3-2376
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参考价格:￥35.775800
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丝印：
外壳：
封装：DO-4
料号：E3-2378
包装：
参考价格:￥35.775800
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外壳：
封装：-
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包装：
参考价格:￥35.775800
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品牌： GeneSiC Semiconductor复制 GeneSiC
描述： DIODE GEN PURP 200V 16A DO220AA
参数： *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:
替代：
二极管类型：标准型， 反极性
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丝印：
外壳：
封装：-
料号：E3-2404
包装：
参考价格:￥35.775800
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品牌： GeneSiC Semiconductor复制 GeneSiC
描述： DIODE GEN PURP 100V 25A DO220AA
参数： *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 25A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:
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二极管类型：标准型， 反极性
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：10µA @ 50V
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封装：-
料号：E3-2407
包装：
参考价格:￥35.775800
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现货库存:0
可供数量:咨询
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品牌： GeneSiC Semiconductor复制 GeneSiC
描述： DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
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替代：
二极管类型：标准型， 反极性
电流 - 平均整流（io）：6A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 6A
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丝印：
外壳：
封装：DO-4
料号：E3-2410
包装：
参考价格:￥35.775800
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品牌： GeneSiC Semiconductor复制 GeneSiC
描述： DIODE GEN PURP 200V 25A DO220AA
参数： *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 25A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 25A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:
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二极管类型：标准型， 反极性
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 25A
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丝印：
外壳：
封装：-
料号：E3-2412
包装：
参考价格:￥35.775800
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品牌： GeneSiC Semiconductor复制 GeneSiC
描述： DIODE GEN PURP 400V 25A DO220AA
参数： *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:- 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:- *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *速度:- *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 标签: 工作温度 - 结:- 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 20 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:12A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 12A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:16A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 16A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 25A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:6A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 25A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装: *二极管类型:标准型， 反极性 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:25A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 25A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:底座，接线柱安装 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 17 包装:
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二极管类型：标准型， 反极性
电流 - 平均整流（io）：25A
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