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描述：
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
|
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：150mA
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.2V @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：4ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100µA @ 100V
|
外壳：
封装：SOD-323
料号：E3-56
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WS-E3-08' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
咨询客服
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描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
|
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：1A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 1A
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：1µA @ 600V
|
丝印：
外壳：
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-78
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1J-E3/61T' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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咨询客服
|
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型号： S1M-E3/61T复制
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描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：1A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 1A
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
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|
丝印：
外壳：
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-79
包装：
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|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1M-E3/61T' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
咨询客服
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描述：
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
|
二极管类型：标准
电流 - 平均整流（io）：1A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1.1V @ 1A
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反向恢复时间（trr）：1.8µs
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：1µA @ 400V
|
外壳：
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-80
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： BAS70-00-E3-08复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装:
|
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：200mA（DC）
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 15mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：5ns
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 50V
|
丝印：
外壳：
封装：SOT-23
料号：E3-110
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-00-E3-08' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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型号： MSS2P3-M3/89A复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 2A MICROSMP
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
|
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：2A
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丝印：
外壳：
封装：MICROSMP
料号：E3-116
包装：
|
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装:
|
二极管类型：肖特基
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|
丝印：
外壳：
封装：SOD-123
料号：E3-130
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： MSS1P6-M3/89A复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
封装：MICROSMP
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包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
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二极管类型：肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：550mV @ 1A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200µA @ 40V
|
丝印：
外壳：
封装：MICROSMP
料号：E3-142
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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可供数量:咨询
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DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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二极管类型：肖特基
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不同 if 时的电压 - 正向（vf）：500mV @ 1A
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不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：250µA @ 20V
|
丝印：
外壳：
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料号：E3-151
包装：
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描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 15 包装:
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： SS14-E3/61T复制
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DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
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二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
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料号：E3-157
包装：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装:
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描述：
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC
参数：
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包装：
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描述：
DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO220AC
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装:
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型号： MBR10H60-E3/45复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装:
|
二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：10A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：710mV @ 10A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：100µA @ 60V
|
丝印：
外壳：
封装：TO-220AC
料号：E3-177
包装：
|
|
购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR10H60-E3/45' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
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总额：
|
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型号： MBR10H60HE3/45复制
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR10H60HE3/45' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1
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DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
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*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装:
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二极管类型：肖特基
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丝印：
外壳：
封装：TO-220AC
料号：E3-178
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： VIT3080S-M3/4W复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-262AA
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 30A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装:
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二极管类型：肖特基
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
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型号： SBLF10L30-E3/45复制
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描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 10A ITO220AC
参数：
*二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:4ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:1.8µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:200mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:5ns *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:2A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 2A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:150mA（DC） *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 250mA *速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:125°C（最大） 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:680mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:标准 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 1A *速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:2µs *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-50°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:1A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 1A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 12 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:630mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:710mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）: *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:通孔 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:30A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 30A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-55°C ~ 15 包装: *二极管类型:肖特基 电压 - dc 反向（vr）（最大值）: *电流 - 平均整流（io）:10A *不同 if 时的电压 - 正向（vf）:520mV @ 10A *速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装:
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二极管类型：肖特基
电流 - 平均整流（io）：10A
不同 if 时的电压 - 正向（vf）：520mV @ 10A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：1mA @ 30V
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丝印：
外壳：
封装：ITO-220AC
料号：E3-180
包装：
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购买数量不能超过商品库存，已为您修正！
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBLF10L30-E3/45' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
总额：
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